エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1996/05/24)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1996/5/24
[資料番号]
目次

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[発表日]1996/5/24
[資料番号]
高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程

花井 寿佳,  松嶋 秀忠,  平松 和政,  澤木 宣彦,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-29,CPM96-14
MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価

清水 誠也,  川口 靖利,  平松 和政,  澤木 宣彦,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-30,CPM96-15
MBE法によるGaInN系多層構造の作製

酒井 浩光,  山口 真智子,  鈴木 啓之,  小出 隆史,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-31,CPM96-16
量子井戸活性層を用いたIII族窒化物発光素子

曽田 茂稔,  吉田 雅人,  西川 真樹,  川口 真,  太田 勝博,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-32,CPM96-17
MOCVD法によるGaN成長におけるバッファ層堆積条件の検討

伊藤 孝浩,  柳原 将貴,  大塚 康二,  今井 哲二,  桑原 憲弘,  高野 泰,  福家 後部,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-33,CPM96-18
(0001)Al_2O_3基板上GaN成長層の極性に対する初期成長条件の影響

勅使川原 秀多,  伊藤 孝浩,  柳原 将貴,  大塚 康二,  今井 哲二,  桑原 憲弘,  高野 秦,  福家 俊郎,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-34,CPM96-19
窒化基板上へのInNエピタキシャル成長

三木 修,  嶋田 香志,  斎木 久雄,  山野 博文,  吉田 明,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-35,CPM96-20
LSI技術開発の現状と課題 : 共通的基盤技術開発の重要性

荒井 英輔,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-36,CPM96-21
化合物半導体/シリコン積層構造を用いた超高効率太陽電池

白石 卓也,  Baskar K,  加藤 利道,  曽我 哲夫,  神保 孝志,  梅野 正義,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-37,CPM96-22
ECRプラズマCVD法によるSi低温エピタキシャル成長

佐々木 公洋,  供田 英之,  畑 朋延,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-38,CPM96-23
窒素レーザを用いた反射マイクロ波法による薄膜SOIの評価

市村 正也,  浅倉 英樹,  牧野 貴紀,  宇佐美 晶,  森田 悦郎,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-39,CPM96-24
実験室系のX線回折装置を使用したX線CTR測定による半導体ヘテロ構造界面評価

田渕 雅夫,  松本 信弘,  竹田 美和,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-40,CPM96-25
大気中での原子間力顕微鏡による結晶評価

伊藤 猛,  吉田 有希,  島崎 晃治,  安達 充浩,  内田 秀雄,  江川 孝志,  神保 孝志,  梅野 正義,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-41,CPM96-26
反応性スパッタ法によるSi(100)基板上へのYSZ薄膜のエピタキシャル成長

岡田 洋和,  安藤 亮,  佐々木 公洋,  畑 朋延,  

[発表日]1996/5/24
[資料番号]ED96-42,CPM96-27
[OTHERS]

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[発表日]1996/5/24
[資料番号]