エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1996/05/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1996/5/23
[資料番号]
目次

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[発表日]1996/5/23
[資料番号]
InGaAs三元混晶半導体バルク結晶成長

小澤 哲夫,  小野 博明,  大西 佳文,  小山 忠信,  早川 泰弘,  熊川 征司,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]ED96-16,CPM96-1
InSb基板中へのGa混入機構

大津 弘穀,  浜川 恵美,  正木 みゆき,  高橋 克巳,  小山 忠信,  早川 泰弘,  熊川 征司,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]ED96-17,CPM96-2
窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長

飯田 晋,  桜井 孝子,  柳田 浩行,  小山 忠信,  早川 泰弘,  熊川 征司,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]ED96-18,CPM96-3
ヘテロLPE成長したGaP基板上GaAs層中の双晶発生の抑制

田中 昭,  鵜殿 治彦,  木村 雅和,  助川 徳三,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]ED96-19,CPM96-4
ZnCl_2を用いたZnSe LPE成長

角辻 文康,  辻本 富幸,  梶 正憲,  木村 雅和,  田中 昭,  助川 徳三,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]ED96-20,CPM96-5
電気化学的堆積法により作製したCdS薄膜への熱処理雰囲気による影響

後藤 文孝,  白井 克典,  森口 幸久,  市村 正也,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]ED96-21,CPM96-6
レーザーアブレーション法によるカルコパイライト薄膜の作製

田中 徹,  棚橋 信貴,  出水 康崇,  山本 幸男,  山口 利幸,  吉田 明,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]ED96-22,CPM96-7
ジイソプロピル亜鉛を用いた有機金属気相成長CdZnTeの成長特性

前葉 浩伸,  川口 耕司,  木原 久典,  窪田 吉孝,  児島 克祥,  森 勝宏,  安田 和人,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]ED96-23,CPM96-8
低温有機金属気相成長CdTeへの沃素ドーピング特性

川口 耕司,  前葉 浩伸,  窪田 吉孝,  児島 克祥,  森 勝宏,  木原 久典,  安田 和人,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]ED96-24,CPM96-9
真空紫外光による金属吸着及び薄膜成長初期過程に関する研究

細川 修,  前田 幸治,  ガンジュ アシュトシュ,  吉田 明,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]ED96-25,CPM96-10
II-VI族化合物半導体結晶成長の光励起過程に関する理論解析

吉田 明,  松田 祐二,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]ED96-26,CPM96-11
アモルファス窒化カーボンa-CN_xの作製とその性質

高田 尚幸,  仁田 昌二,  野々村 修一,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]ED96-27,CPM96-12
アモルファス窒化ゲルマニウムa-Ge_<1-x>N_x : Hの作製とその性質

日置 正臣,  仁田 昌二,  野々村 修一,  

[発表日]1996/5/23
[資料番号]ED96-28,CPM96-13
[OTHERS]

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[発表日]1996/5/23
[資料番号]