エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1995/11/24)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1995/11/24
[資料番号]
目次

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[発表日]1995/11/24
[資料番号]
CdSe/ZnSe/ZnSSe 単一量子井戸における局在励起子の時間分解発光特性および青緑色発光ダイオードの作製

山口 栄雄,  川上 養一,  藤田 静雄,  藤田 茂夫,  

[発表日]1995/11/24
[資料番号]ED95-116
蛍光 EXAFS 法による InP 中に均一ドープした Er 原子周囲の局所構造解析

河村 大輔,  大渕 博宣,  松原 直輝,  田渕 雅夫,  藤原 康文,  竹田 美和,  

[発表日]1995/11/24
[資料番号]ED95-117
Er をδドーピングした InP のX線 CTR 散乱法による界面構造解析

藤田 敬次,  松原 直輝,  山田 直樹,  一木 悟史,  田渕 雅夫,  藤原 康文,  竹田 美和,  

[発表日]1995/11/24
[資料番号]ED95-118
歪補償 InAsP-MQW の MOMBE 成長と臨界膜厚の解析

小笠原 松幸,  杉浦 英雄,  満原 学,  

[発表日]1995/11/24
[資料番号]ED95-119
プラズマアシスト OMVPE による GaN 成長

徳田 崇,  若原 昭浩,  佐々木 昭夫,  

[発表日]1995/11/24
[資料番号]ED95-120
少数キャリア注入による GaAs ダイオードの水素誘起劣化

伏見 浩,  和田 一実,  

[発表日]1995/11/24
[資料番号]ED95-121
ZnSe 原子層と P 原子層を挿入した GaAs/AlAs 界面の電子状態とバンド不連続量

斎藤 敏夫,  生駒 俊明,  

[発表日]1995/11/24
[資料番号]ED95-122
GaAs/AlAs type-I 超格子におけるΓ-X ミキシングに影響されたキャリアトランスポート

三村 秀典,  細田 誠,  大谷 直毅,  冨永 浩司,  渡辺 敏英,  藤原 賢三,  

[発表日]1995/11/24
[資料番号]ED95-123
AlGaAs/GaAs HBT の電流利得のエミッタ方向依存性

石田 秀俊,  宮辻 和郎,  上田 大助,  

[発表日]1995/11/24
[資料番号]ED95-124
高出力 AlGaAs/InGaAs ヘテロ接合 FET の高耐圧化

岡本 康宏,  松永 高治,  三浦 郁雄,  葛原 正明,  

[発表日]1995/11/24
[資料番号]ED95-125
リセスゲート構造 GaAsFET を用いた衝突イオン化率の測定

堀 恭子,  葛原 正明,  

[発表日]1995/11/24
[資料番号]ED95-126
rf スパッタ法による LiNbO_3 薄膜の作製とその電気的特性

西田 貴司,  堀内 俊寿,  塩嵜 忠,  松重 和美,  

[発表日]1995/11/24
[資料番号]ED95-127
ヘテロエピタキシャル成長の成長初期制御による結晶欠陥の抑制

高木 康文,  横関 弥樹博,  辻 琢人,  左文字 克哉,  大島 直樹,  朴 康司,  米津 宏雄,  

[発表日]1995/11/24
[資料番号]ED95-1
[OTHERS]

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[発表日]1995/11/24
[資料番号]