エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1995/10/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1995/10/20
[資料番号]
目次

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[発表日]1995/10/20
[資料番号]
pチャネルヘテロ接合FET特性改善のための Mgイオン注入の検討

原 直紀,  末廣 晴彦,  松倉 祐輔,  島 昌司,  黒田 滋,  

[発表日]1995/10/20
[資料番号]ED95-103
UVリソグラフィーを用いたサブクォーターミクロンゲート AlGaAs/InGaAs HEMT

松野 年伸,  田邊 充,  柳原 学,  酒井 啓之,  田村 彰良,  井上 薫,  

[発表日]1995/10/20
[資料番号]ED95-104
In(Al_<1-x>Ga_x)As 層をもつ InAlAs/InGaAs 系 HJFET の熱的安定性

富士原 明,  中山 達峰,  水木 恵美子,  分島 影男,  安藤 裕二,  恩田 和彦,  宮本 広信,  葛原 正明,  

[発表日]1995/10/20
[資料番号]ED95-105
Si 超薄膜界面制御層を用いた絶縁ゲート InGaAs HEMT の作製と評価

鈴木 敏,  堂前 奏宏,  長谷川 英機,  

[発表日]1995/10/20
[資料番号]ED95-106
単一電源動作 Pt 埋め込みゲート InGaAs 歪チャネルダブルヘテロ HEMT

谷本 琢磨,  大部 功,  田中 聡,  松本 秀俊,  寺野 昭久,  工藤 真,  中村 徹,  

[発表日]1995/10/20
[資料番号]ED95-107
InP 系 HEMT 用材料のフッ素混入による不活性化 : 材料依存性

早藤 紀生,  山本 佳嗣,  園田 琢二,  高宮 三郎,  

[発表日]1995/10/20
[資料番号]ED95-108
脱溶存酸素・超純水洗浄処理 GaAs(001) 表面に対する熱処理の影響

廣田 幸弘,  福田 常男,  住友 弘二,  

[発表日]1995/10/20
[資料番号]ED95-109
高耐熱ベース電極を用いたT形エミッタ電極自己整合 InP/InGaAs HBT

増田 宏,  岡 徹,  大内 潔,  寺野 昭久,  松原 宏和,  物集 照天,  田上 知紀,  

[発表日]1995/10/20
[資料番号]ED95-110
マルチフィンガ HBT の過渡応答特性評価によるコラプス現象の解析

松林 弘人,  紫村 輝之,  中島 康晴,  高木 直,  石原 理,  

[発表日]1995/10/20
[資料番号]ED95-111
GaAs 微細加工層の STM 探針への応用

多田 哲,  山口 浩一,  

[発表日]1995/10/20
[資料番号]ED95-112
Schottky in-plane gate 構造を有する量子デバイス

岡田 浩,  地主 啓一郎,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]1995/10/20
[資料番号]ED95-113
OMVPE 成長 GaInAs/InP ヘテロ界面の成長中断による制御の可能性

須原 理彦,  長尾 宙馬,  本地 秀考,  宮本 恭幸,  古屋 一仁,  

[発表日]1995/10/20
[資料番号]ED95-114
カソードウェル構造を有する InP 系共鳴トンネルダイオード

中川 隆之,  中野 貴矢,  陽 完治,  

[発表日]1995/10/20
[資料番号]ED95-115
[OTHERS]

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[発表日]1995/10/20
[資料番号]