エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：1995/10/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1995/10/19
[資料番号]
目次

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[発表日]1995/10/19
[資料番号]
Moショットキゲート GaAs FET のゲート順方向バイアス通電による特性変動

木村 有,  重政 良治,  大島 知之,  

[発表日]1995/10/19
[資料番号]ED95-100
Undoped GaAs キャップ層を用いた高耐圧イオン注入 GaAs MESFET

藤本 裕雅,  川島 克彦,  正戸 宏幸,  田村 彰良,  

[発表日]1995/10/19
[資料番号]ED95-101
In-Situ 電気化学プロセスを用いた Pt-Gate InP MESFET の製作

宇野 正一,  橋詰 保,  呉 南健,  葛西 誠也,  長谷川 英機,  

[発表日]1995/10/19
[資料番号]ED95-102
[OTHERS]

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[発表日]1995/10/19
[資料番号]