エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1995/05/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1995/5/19
[資料番号]
目次

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[発表日]1995/5/19
[資料番号]
高品質InAsSb系混晶の液相成長と中赤外光デバイスへの応用

〓 秀英,  牧野 貴光,  菅 博文,  萬行 厚雄,  青山 満,  山口 十六夫,  早川 秦弘,  熊川 征司,  Rowell L. N.,  

[発表日]1995/5/19
[資料番号]
InSb結晶中へのGaの高速拡散

熊川 征司,  浜川 恵美,  小山 忠信,  早川 泰弘,  

[発表日]1995/5/19
[資料番号]
液相成長法によるInGaAs/GaAsヘテロ エピタキシー

熊川 征司,  菊澤 充男,  柳田 浩行,  小山 忠信,  早川 泰弘,  

[発表日]1995/5/19
[資料番号]
InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長

元垣内 敦司,  鵜殿 治彦,  勝野 廣宣,  木村 雅和,  田中 昭,  助川 徳三,  

[発表日]1995/5/19
[資料番号]
yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長

金井 宏,  角辻 文康,  木村 雅和,  田中 昭,  助川 徳三,  

[発表日]1995/5/19
[資料番号]
CuInS_2薄膜太陽電池の作製と評価

小川 由高,  橋本 佳男,  Jager-Waldau A.,  竹内 和浩,  伊東 謙太郎,  

[発表日]1995/5/19
[資料番号]
Si_<1-x>Ge_x/Si(0

若原 昭浩,  蔵本 恭介,  中澤 慶久,  佐々木 昭夫,  

[発表日]1995/5/19
[資料番号]
電気化学堆積法によるCdS薄膜のラマン散乱

白井 克典,  森口 幸久,  市村 正也,  宇佐美 晶,  佐治 学,  

[発表日]1995/5/19
[資料番号]
ZnCdSe/ZnSe SQW構造の評価

笹本 賢治,  加藤 孝正,  松本 俊,  

[発表日]1995/5/19
[資料番号]
水素ラジカル励起MOCVD法によるZnSeのエピタキシャル成長

青木 徹,  森田 元彦,  中西 洋一郎,  畑中 義則,  

[発表日]1995/5/19
[資料番号]
MOVPE法によるGaAs基板上InP成長

高野 泰,  佐々木 輝夫,  永木 康文,  桑原 憲弘,  福家 俊郎,  今井 哲二,  

[発表日]1995/5/19
[資料番号]
HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性

山本 悦司,  鈴木 大介,  太田 正志,  桑原 正和,  榊原 慎吾,  中西 洋一郎,  石田 明広,  藤安 洋,  

[発表日]1995/5/19
[資料番号]
[OTHERS]

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[発表日]1995/5/19
[資料番号]