エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1995/05/18)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1995/5/18
[資料番号]
目次

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[発表日]1995/5/18
[資料番号]
TBPを用いたOMVPE法によるEr添加InPの成長と評価

松原 直輝,  伊藤 祐介,  野々垣 陽一,  藤田 敬次,  藤原 康文,  竹田 美和,  

[発表日]1995/5/18
[資料番号]
MOCVD成長InAlAs/InGaAs HEMTのFeドープInPバッファ層の検討

野田 隆夫,  佐々木 晶,  野崎 千晴,  天野 実,  芦沢 康夫,  

[発表日]1995/5/18
[資料番号]
MBE法による傾斜基板上へのGaAs成長

釆女 豊,  和泉 茂一,  早藤 紀生,  園田 琢二,  高宮 三郎,  

[発表日]1995/5/18
[資料番号]
不整転位導入の臨界膜厚に関する理論

市村 正也,  Narayan J.,  

[発表日]1995/5/18
[資料番号]
(GaAs)_m(GaP)_n歪短周期超格子の格子緩和過程

高木 康文,  左文字 克哉,  岩城 和彦,  大島 直樹,  朴 康司,  米津 宏雄,  

[発表日]1995/5/18
[資料番号]
歪短周期超格子の挿入によるInP-on-Siの貫通転位密度の低減

左文字 克哉,  高木 康文,  林田 圭司,  大島 直樹,  朴 康司,  米津 宏雄,  

[発表日]1995/5/18
[資料番号]
[OTHERS]

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[発表日]1995/5/18
[資料番号]