エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1995/04/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1995/4/21
[資料番号]
目次

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[発表日]1995/4/21
[資料番号]
ポーラスSiの陽極酸化EL発光評価と微細構造解析

酒井 忠司,  鈴木 健聡,  張 利,  

[発表日]1995/4/21
[資料番号]
ポーラスSiへの不純物拡散による発光ダイオード作製及び評価

張 利,  酒井 忠司,  鈴木 健聡,  

[発表日]1995/4/21
[資料番号]
Valence Band Alignment at Ultra-Thin SiO_2/Si(111) Interfaces as Determined by High-Resolution X-Ray Photoelectron Spectroscopy

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[発表日]1995/4/21
[資料番号]
In-situ TEMによるZr/Si界面反応の観察

田中 宏幸,  沖原 将生,  平下 紀夫,  今野 豊彦,  Sinclair Robert,  

[発表日]1995/4/21
[資料番号]
トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響

牛山 雅弘,  三浦 英生,  八島 秀幸,  足立 哲生,  西本 敏明,  小森 和宏,  加藤 正高,  久米 均,  大路 譲,  

[発表日]1995/4/21
[資料番号]
InAsナノ結晶とGaAs基板とのヘテロ界面の価電子帯不連続性

渡辺 義夫,  前田 文彦,  清倉 孝規,  尾嶋 正治,  

[発表日]1995/4/21
[資料番号]
AFMによるOMVPE成長GaInAs/InP共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面の観察

須原 理彦,  長尾 宙馬,  薗田 大資,  宮本 恭幸,  古屋 一仁,  

[発表日]1995/4/21
[資料番号]
MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響

藤原 正典,  横山 春喜,  井上 直久,  

[発表日]1995/4/21
[資料番号]
ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工

栗原 健二,  岩立 和己,  生津 英夫,  永瀬 雅夫,  村瀬 克実,  

[発表日]1995/4/21
[資料番号]
シリコンを用いた単一電子トンネルトランジスタの試作と動作確認

大畠 昭子,  新山 広美,  柴田 透,  中嶋 一明,  鳥海 明,  

[発表日]1995/4/21
[資料番号]
Si-SETにおける孤立Si島への単電子メモリ効果

藤原 聡,  高橋 庸夫,  村瀬 克実,  田部 道晴,  

[発表日]1995/4/21
[資料番号]
SOI基板上に作製したスプリットゲートMOS構造のコンダクタンス振動現象

石黒 仁揮,  平本 俊郎,  藤田 博之,  生駒 俊明,  

[発表日]1995/4/21
[資料番号]
1次元細線における単一電子トラップ

阪本 利司,  中村 泰信,  Hwang S.W.,  中村 和夫,  

[発表日]1995/4/21
[資料番号]
[OTHERS]

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[発表日]1995/4/21
[資料番号]