エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1994/10/11)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1994/10/11
[資料番号]
目次

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[発表日]1994/10/11
[資料番号]
2層構造WSiN電極によるGaAsショットキー接触の耐熱性の向上

塩島 謙次,  西村 一巳,  徳光 雅美,  入戸野 巧,  菅原 裕彦,  日向 文明,  

[発表日]1994/10/11
[資料番号]ED94-66
WSi/GaAsショットキー接合界面のキャリア捕獲とFET特性との関係

服部 亮,  北村 孝子,  佐藤 和彦,  石原 理,  

[発表日]1994/10/11
[資料番号]ED94-67
Si界面制御層を用いた化合物半導体量子井戸構造の表面不活性化

児玉 聡,  小柳 諭,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]1994/10/11
[資料番号]ED94-67
AlAs上に成長したGeエピ特性のAlAs表面構造依存性

前田 毅,  田中 均,  滝川 正彦,  河西 和美,  

[発表日]1994/10/11
[資料番号]ED94-69
サブクォータミクロンゲートGaAs MESFETと微細加工技術

木村 有,  大島 知之,  

[発表日]1994/10/11
[資料番号]ED94-70
新BP-LDD構造0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFET

西村 一巳,  徳光 雅美,  平野 真,  青山 真二,  山根 康朗,  山崎 王義,  

[発表日]1994/10/11
[資料番号]ED94-71
低電圧動作・高出力WSi/W二層ゲートSAGFET

笠井 信之,  伊藤 和彦,  宮国 晋一,  前村 公正,  山本 和也,  高野 博三,  

[発表日]1994/10/11
[資料番号]ED94-72
Cr拡散によるGaAsパワーFETの低歪み化

古川 秀利,  立岡 一樹,  宮辻 和郎,  杉村 昭久,  上田 大助,  

[発表日]1994/10/11
[資料番号]ED94-73
高信頼性高性能InAlAs/InGaAs HJFET

冨士原 明,  恩田 和彦,  水木 恵美子,  宮本 広信,  堀 恭子,  葛原 正明,  

[発表日]1994/10/11
[資料番号]ED94-74
GaAs基板上高In組成歪チャネルHEMTのMBE成長

工藤 真,  三島 友義,  

[発表日]1994/10/11
[資料番号]ED94-75
ホットエレクトロンの回折/干渉素子のためのナノ構造アライメント技術

本郷 廣生,  鈴木 淳,  須原 理彦,  宮本 恭章,  古屋 一仁,  

[発表日]1994/10/11
[資料番号]ED94-76
量子井戸端への直接ショットキー接合の形成とその細線トランジスタへの応用

岡田 浩,  地主 啓一郎,  呉 南健,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]1994/10/11
[資料番号]ED94-76
Si界面制御層によるGaAsショットキー障壁高さの制御とその量子構造への応用

葛西 誠也,  宇野 正一,  橋詰 保,  長谷川 英機,  

[発表日]1994/10/11
[資料番号]ED94-78
[OTHERS]

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[発表日]1994/10/11
[資料番号]