エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1994/09/14)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1994/9/14
[資料番号]
目次

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[発表日]1994/9/14
[資料番号]
半導体デバイスの非等温・非平衡シミュレーション

川島 博文,  林 洋一,  檀 良,  

[発表日]1994/9/14
[資料番号]ED94-55,SDM94-92,VLD94-52
InAlAs/InGaAs HEMTにおけるキンク現象のデバイスシミュレーション

榎木 孝知,  佐野 伸行,  富沢 雅彰,  

[発表日]1994/9/14
[資料番号]ED94-56,SDM94-93,VLD94-53
プロセス/デバイスシミュレータによる高速バイポーラトランジスタの性能予測

丸山 貴志子,  玉置 洋一,  佐藤 久子,  増田 弘生,  松尾 仁司,  井原 茂男,  鳥谷部 達,  

[発表日]1994/9/14
[資料番号]ED94-57,SDM94-94,VLD94-54
テーブル回路モデルを用いた電気・熱的静電破壊(ESD)解析シミュレーション

栗本 一実,  山下 恭司,  宮永 績,  堀 敦,  小田中 紳二,  

[発表日]1994/9/14
[資料番号]ED94-58,SDM94-95,VLD94-55
初期値の連続変形を考慮したホモトピー法による動作点解析

谷沢 元昭,  石川 多恵,  小谷 教彦,  坪内 夏朗,  

[発表日]1994/9/14
[資料番号]ED94-59,SDM94-96,VLD94-56
MOS素子の多数バレーバンド構造に基づくモンテカルロシミュレーション

山地 充,  園田 賢一郎,  國清 辰也,  谷口 研二,  浜口 智尋,  

[発表日]1994/9/14
[資料番号]ED94-60,SDM94-97,VLD94-57
バンド構造を反映したイオン化確率の高精度モデル

佐野 伸行,  吉井 彰,  

[発表日]1994/9/14
[資料番号]ED94-61,SDM94-98,VLD94-58
インパクトイオン化の非局所性を考慮したn-MOSFETの基板電流モデル

園田 賢一郎,  山地 充,  谷口 研二,  浜口 智尋,  國清 辰也,  

[発表日]1994/9/14
[資料番号]ED94-62,SDM94-99,VLD94-59
大容量負荷高速駆動用CMOSソートフォロワ・バッファ回路の解析

中井 努,  柴田 直,  大見 忠弘,  

[発表日]1994/9/14
[資料番号]ED94-63,SDM94-100,VLD94-60
多変量解析法によるMOSFET電流駆動能力に関する検討

常野 克己,  増田 弘生,  

[発表日]1994/9/14
[資料番号]ED94-64,SDM94-101,VLD94-61
TCADによる高集積0.4μmCMOS回路モデルパラメータ生成

国友 久彰,  青山 仁子,  常野 克己,  佐藤 久子,  中村 高秀,  増田 弘生,  

[発表日]1994/9/14
[資料番号]ED94-65,SDM94-102,VLD94-62
[OTHERS]

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[発表日]1994/9/14
[資料番号]