エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1994/05/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1994/5/20
[資料番号]
目次

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[発表日]1994/5/20
[資料番号]
MOVPE法によるHgCdTe低温成長特性

波多野 博紀,  川本 和宏,  南出 雅哉,  前島 隆行,  / 安田 和人,  

[発表日]1994/5/20
[資料番号]ED94-16,CPM94-17
ErドープSi中におけるEr発光中心のアニール効果

大脇 弘憲,  飯岡 修,  南 英男,  江龍 修,  中嶋 堅志郎,  

[発表日]1994/5/20
[資料番号]ED94-17,CPM94-18
エキシマレーザードーピング時のSi中のEr原子分布

江龍 修,  大脇 弘憲,  中嶋 堅志郎,  

[発表日]1994/5/20
[資料番号]ED94-18,CPM94-19
ポーラスSiに吸着させたErのレーザードーピング

中嶋 堅志郎,  江龍 修,  池内 直樹,  大脇 弘憲,  

[発表日]1994/5/20
[資料番号]ED94-19,CPM94-20
ハーモニックモードロックErドープファイバリングレーザの安定化

,  田崎 哲雄,  家田 浩司,  森 正和,  後藤 俊夫,  宮内 彰,  

[発表日]1994/5/20
[資料番号]ED94-20,CPM94-21
GaAs(lll)A基板上AlGaAs/GaAsダブルヘテロ構造LDの作製

庭野 裕,  江川 孝志,  藤田 和久,  似鳥 耕一,  渡辺 敏英,  神保 孝志,  梅野 正義,  

[発表日]1994/5/20
[資料番号]ED94-21,CPM94-22
HClガスエッチング・MOCVD複合プロセスによるAlGaAs上GaAs再成長層の高品質化

杵築 弘隆,  藤井 就亮,  宮下 宗治,  三橋 豊,  高宮 三郎,  

[発表日]1994/5/20
[資料番号]ED94-22,CPM94-23
GaAs/GaP(001)における成長モード遷移

野村 卓志,  吉川 昌宏,  石川 賢司,  萩野 實,  

[発表日]1994/5/20
[資料番号]ED94-23,CPM94-24
Ga-As-Ge溶液からのGe/GaAs連続成長

神谷 俊幸,  木村 雅和,  田中 昭,  助川 徳三,  

[発表日]1994/5/20
[資料番号]ED94-24,CPM94-25
LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)

鵜殿 治彦,  元垣内 敦司,  勝野 宏宣,  木村 雅和,  田中 昭,  助川 徳三,  

[発表日]1994/5/20
[資料番号]ED94-25,CPM94-26
Si^+イオン注入によるGaAsの表面再結合特性の改善 : レーザ/マイクロ波非接触評価を中心として

吉田 英朗,  奥山 康生,  市村 正也,  宇佐美 晶,  和田 隆夫,  

[発表日]1994/5/20
[資料番号]ED94-26,CPM94-27
液相成長Al_xGa_<1-x>Sbにおける成長中断の電気的影響 : DLTS測定を中心として

荻野 博康,  市村 正也,  宇佐美 晶,  和田 隆夫,  

[発表日]1994/5/20
[資料番号]ED94-27,CPM94-28
金属シリサイド/Si接合系の軟X線放出分光法SXESによる深さ方向非破壊分析

山内 庄一,  岩見 基弘,  大島 久純,  服部 正,  

[発表日]1994/5/20
[資料番号]ED94-28,CPM94-29
[OTHERS]

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[発表日]1994/5/20
[資料番号]