エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1994/01/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1994/1/21
[資料番号]
目次

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[発表日]1994/1/21
[資料番号]
FETの直流特性より大信号特性を求める計算法

森 一富,  中山 正敏,  伊藤 康之,  高木 直,  

[発表日]1994/1/21
[資料番号]ED93-168,MW93-125,ICD93-183
耐熱ゲートInGaP/GaAs MESFETの製作技術

塩島 謙次,  西村 一巳,  日向 文明,  杉谷 末広,  

[発表日]1994/1/21
[資料番号]ED93-169,MW93-126,ICD93-184
UHF帯低電圧動作高効率高出力FET増幅器

中山 正敏,  森 一富,  伊藤 康之,  村上 哲,  中島 康晴,  前村 公正,  関 博昭,  高木 直,  

[発表日]1994/1/21
[資料番号]ED93-170,MW93-127,ICD93-185
InAlAs/InGaAs/InP HEMT雑音特性のデバイスパラメータ感度解析

楳田 洋太郎,  榎木 孝知,  石井 康信,  

[発表日]1994/1/21
[資料番号]ED93-171,MW93-128,ICD93-186
進行波形電力分配・合成FETを用いた超広帯域モノリシック高出力増幅器

伊藤 康之,  新居 眞敏,  河野 康孝,  望月 満,  高木 直,  

[発表日]1994/1/21
[資料番号]ED93-172,MW93-129,ICD93-187
InAlAs層にAlAs層を挿入した金属/InAlAs/AlAs/n-InAlAs構造のダイオード特性

宮本 広信,  中山 達峰,  大石 恵美,  佐本 典彦,  

[発表日]1994/1/21
[資料番号]ED93-173,MW93-130,ICD93-188
InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETに於けるデバイス特性のチャネル組成依存性

恩田 和彦,  冨士原 明,  丸橋 建一,  水木 恵美子,  中山 達峰,  宮本 広信,  佐本 典彦,  葛原 正明,  

[発表日]1994/1/21
[資料番号]ED93-174,MW93-131,ICD93-189
新ヘテロ接合素子 : TMT(2モードチャネルFET)

澤田 稔,  松村 浩二,  井上 大二朗,  中本 博之,  原田 八十雄,  

[発表日]1994/1/21
[資料番号]ED93-175,MW93-132,ICD93-190
1993年GaAs ICシンポジウム出席報告

山根 康朗,  中津川 征士,  前多 正,  宇田 尚典,  

[発表日]1994/1/21
[資料番号]ED93-176,MW93-133,ICD93-191
第23回ヨーロッパマイクロ波会議出席報告

常信 和清,  都竹 愛一郎,  平塚 敏朗,  松村 和仁,  志垣 雅文,  

[発表日]1994/1/21
[資料番号]ED93-177,MW93-134,ICD93-192
[OTHERS]

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[発表日]1994/1/21
[資料番号]