エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:1993/05/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1993/5/21
[資料番号]
目次

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[発表日]1993/5/21
[資料番号]
MOCVD法によるAl_0.22>Ga_0.78>As/Siタンデム型太陽電池の試作

吾妻 豊,  楊 民挙,  江川 孝志,  曽我 哲夫,  神保 孝志,  梅野 正義,  

[発表日]1993/5/21
[資料番号]ED93-22,CPM93-13
Si基板上AlGaAs/GaAs面発光レーザの作製

出口 常正,  長谷川 義晃,  江川 孝志,  神保 孝志,  梅野 正義,  

[発表日]1993/5/21
[資料番号]ED93-23,CPM93-14
高温熱アニールによるGaAs on Siの転位密度低減効果

高木 康文,  八谷 佳明,  朴 康司,  米津 宏雄,  

[発表日]1993/5/21
[資料番号]ED93-24,CPM93-15
Si_2H_6と固体Geソースを用いたSiGe/Siの成長

和戸 弘幸,  石田 誠,  中村 哲郎,  

[発表日]1993/5/21
[資料番号]ED93-25,CPM93-16
プラズマCVD法で作製したSiN_x膜のXPSによる解析

松木 英夫,  星野 浩一,  田口 隆志,  上野 祥樹,  服部 正,  

[発表日]1993/5/21
[資料番号]ED93-26,CPM93-17
フーリエ変換ラマン分光器を用いたルミネッセンス光測定によるCZ-Si単結晶の評価

濱田 基嗣,  河東田 隆,  

[発表日]1993/5/21
[資料番号]ED93-27,CPM93-18
レーザアブレーション法の分子線源としての可能性

加地 徹,  加納 浩之,  

[発表日]1993/5/21
[資料番号]ED93-28,CPM93-19
Erドープ光ファイバ増幅器の励起準位吸収を用いた利得制御

田崎 哲雄,  栗原 篤孝,  藤原 裕司,  河合 武司,  森 正和,  後藤 俊夫,  宮内 彰,  

[発表日]1993/5/21
[資料番号]ED93-29,CPM93-20
低損失・高耐圧SITの開発

河内 浩康,  吉田 稔彦,  三浦 澄貴,  高木 春男,  伊藤 秀史,  

[発表日]1993/5/21
[資料番号]ED93-30,CPM93-21
鉛ストロンチウムカルコゲナイド薄膜の特性と赤外線レーザ

石田 明広,  櫻井 伸弘,  藤安 洋,  

[発表日]1993/5/21
[資料番号]ED93-31,CPM93-22
半絶縁性GaAs受光素子の波長感度特性

杉本 賢一,  中嶋 和利,  廣畑 徹,  水島 宜彦,  

[発表日]1993/5/21
[資料番号]ED93-32,CPM93-23
半導体多層膜反射鏡の赤外LEDへの応用

加藤 俊宏,  廣谷 真澄,  坂 貴,  山内 紀克,  

[発表日]1993/5/21
[資料番号]ED93-33,CPM93-24
イオンアシストIBS法によるBi2212超伝導薄膜の結晶成長

阿部 克彦,  顔 好東,  遠藤 民生,  

[発表日]1993/5/21
[資料番号]ED93-34,CPM93-25
[OTHERS]

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[発表日]1993/5/21
[資料番号]