エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2020/11/26)

タイトル/著者/発表日/資料番号
光音響・発光同時計測法と積分球法によるInGaN量子井戸の内部・外部量子効率推定

森 恵人(金沢工大),  高橋 佑知(金沢工大),  坂井 繁太(金沢工大),  森本 悠也(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  草薙 進(ソニー),  蟹谷 裕也(ソニー),  工藤 喜弘(ソニー),  冨谷 茂隆(ソニー),  

[発表日]2020-11-26
[資料番号]ED2020-1,CPM2020-22,LQE2020-52
InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性

山口 拓海(金沢工大),  有賀 恭介(金沢工大),  森 恵人(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  

[発表日]2020-11-26
[資料番号]ED2020-2,CPM2020-23,LQE2020-53
AlGaN UVBレーザダイオードのキャリア注入効率の算出

佐藤 恒輔(旭化成),  大森 智也(名城大),  山田 和輝(名城大),  田中 隼也(名城大),  石塚 彩花(名城大),  手良村 昌平(名城大),  岩山 章(名城大),  岩谷 素顕(名城大),  三宅 秀人(三重大),  竹内 哲也(名城大),  上山 智(名城大),  赤﨑 勇(名城大),  

[発表日]2020-11-26
[資料番号]ED2020-3,CPM2020-24,LQE2020-54
エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究

中林 泰希(名工大),  高田 華果(名工大),  江川 孝志(名工大),  三好 実人(名工大),  竹内 哲也(名城大),  

[発表日]2020-11-26
[資料番号]ED2020-4,CPM2020-25,LQE2020-55
光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討

山本 皓介(名工大),  Pradip Dalapati(名工大),  江川 孝志(名工大),  三好 実人(名工大),  

[発表日]2020-11-26
[資料番号]ED2020-5,CPM2020-26,LQE2020-56
エレクトロルミネッセンス・フォトルミネッセンス法によるAlN基板上265nm帯AlGaN LEDの評価

石井 良太(京大),  吉川 陽(旭化成),  永瀬 和宏(旭化成),  船戸 充(京大),  川上 養一(京大),  

[発表日]2020-11-26
[資料番号]ED2020-6,CPM2020-27,LQE2020-57
選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET

井上 暁喜(名工大),  原田 紘希(名工大),  山中 瑞樹(名工大),  江川 孝志(名工大),  三好 実人(名工大),  

[発表日]2020-11-26
[資料番号]ED2020-7,CPM2020-28,LQE2020-58
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

横井 駿一(名工大),  久保 俊晴(名工大),  江川 孝志(名工大),  

[発表日]2020-11-26
[資料番号]ED2020-8,CPM2020-29,LQE2020-59
界面顕微光応答法を用いた光電気化学エッチングしたNi/GaNショットキー接触の2次元評価

松田 陵(福井大),  堀切 文正(サイオクス),  成田 好伸(サイオクス),  吉田 丈洋(サイオクス),  福原 昇(サイオクス),  三島 友義(法政大),  塩島 謙次(福井大),  

[発表日]2020-11-26
[資料番号]ED2020-9,CPM2020-30,LQE2020-60
Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元特性

川角 優斗(福井大),  安井 悠人(福井大),  柏木 行康(大阪産業技術研),  玉井 聡行(大阪産業技術研),  塩島 謙次(福井大),  

[発表日]2020-11-26
[資料番号]ED2020-10,CPM2020-31,LQE2020-61
高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長

白土 達也(三重大),  上杉 謙次郎(三重大),  窪谷 茂幸(三重大),  正直 花奈子(三重大),  三宅 秀人(三重大),  

[発表日]2020-11-26
[資料番号]ED2020-11,CPM2020-32,LQE2020-62
酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究

神谷 俊佑(福井大),  西谷 高至(福井大),  松田 悠(福井大),  高野 望(福井大),  ジョエル タクラ アスバル(福井大),  徳田 博邦(福井大),  葛原 正明(関西学院大),  

[発表日]2020-11-26
[資料番号]ED2020-12,CPM2020-33,LQE2020-63
Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

ロー ルイ シャン(福井大),  永瀬 樹(福井大),  バラトフ アリ(福井大),  アスバル ジョエル タクラ(福井大),  徳田 博邦(福井大),  葛原 正明(関西学院大),  谷田部 然治(熊本大),  内藤 健太(熊本大),  本山 智洋(熊本大),  中村 有水(熊本大),  

[発表日]2020-11-26
[資料番号]ED2020-13,CPM2020-34,LQE2020-64
GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化

田先 美貴子(名城大),  清原 一樹(名城大),  小田原 麻人(名城大),  伊藤 太一(名城大),  竹内 哲也(名城大),  上山 智(名城大),  岩谷 素顕(名城大),  赤﨑 勇(名大),  

[発表日]2020-11-27
[資料番号]ED2020-18,CPM2020-39,LQE2020-69
量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討

宮本 義也(名城大),  曽根 直樹(名城大),  Weifang Lu(名城大),  奥田 廉士(名城大),  伊藤 和真(名城大),  奥野 浩司(名城大),  飯田 一喜(名城大),  上山 智(名城大),  竹内 哲也(名城大),  岩谷 素顕(名城大),  赤﨑 勇(名城大/名古屋大・赤﨑記念研究センター),  

[発表日]2020-11-27
[資料番号]ED2020-19,CPM2020-40,LQE2020-70
AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討

田中 隼也(名城大),  佐藤 恒輔(旭化成),  安江 信次(名城大),  荻野 雄矢(名城大),  山田 和輝(名城大),  石塚 彩花(名城大),  大森 智也(名城大),  手良村 昌平(名城大),  岩山 章(名城大),  三宅 秀人(三重大),  岩谷 素顕(名城大),  竹内 哲也(名城大),  上山 智(名城大),  赤﨑 勇(名城大),  

[発表日]2020-11-27
[資料番号]ED2020-20,CPM2020-41,LQE2020-71
周期的スロット構造を用いたInGaN量子井戸波長可変単一モードレーザの初期評価

上向井 正裕(阪大),  樋口 晃大(阪大),  谷川 智之(阪大),  片山 竜二(阪大),  

[発表日]2020-11-27
[資料番号]ED2020-21,CPM2020-42,LQE2020-72
スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上

形岡 遼志(三重大),  小泉 晴比古(三重大),  岩山 章(三重大),  三宅 秀人(三重大),  

[発表日]2020-11-27
[資料番号]ED2020-22,CPM2020-43,LQE2020-73
CBD法によるMgZnOナノロッドの成長とUV光検出器応用

濱本 昂大(愛媛大),  金丸 陸斗(愛媛大),  寺迫 智昭(愛媛大),  矢木 正和(香川高専),  古林 寛(高知工科大),  山本 哲也(高知工科大),  

[発表日]2020-11-27
[資料番号]ED2020-14,CPM2020-35,LQE2020-65
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合UV光検出器の時間応答特性

山田 健太(愛媛大),  寺迫 智昭(愛媛大),  矢木 正和(香川高専),  古林 寛(高知工科大),  山本 哲也(高知工科大),  

[発表日]2020-11-27
[資料番号]ED2020-17,CPM2020-38,LQE2020-68
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