エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2014/11/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2014/11/20
[資料番号]
目次

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[発表日]2014/11/20
[資料番号]
昇華法によるAlN単結晶の育成(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

岩崎 洋介,  永田 俊郎,  秋山 秋山,  中村 啓一郎,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-73,CPM2014-130,LQE2014-101
格子整合系ScAlMgO_4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

尾崎 拓也,  船戸 充,  川上 養一,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-74,CPM2014-131,LQE2014-102
MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

児玉 和樹,  / 野村 裕之,  重川 直輝,  山本 〓勇,  葛原 正明,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-75,CPM2014-132,LQE2014-103
減圧MOVPE法によるAlGaN多重量子井戸構造の緩衝層の効果(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

中濱 和大,  福世 文嗣,  三宅 秀人,  平松 和政,  吉田 治正,  小林 祐二,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-76,CPM2014-133,LQE2014-104
m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

栗原 香,  長尾 哲,  山口 敦史,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-77,CPM2014-134,LQE2014-105
非極性InGaN量子井戸の偏光特性(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

坂井 繁太,  山口 敦史,  栗原 香,  長尾 哲,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-78,CPM2014-135,LQE2014-106
窒化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

鹿嶋 行雄,  松浦 恵里子,  嶋谷 聡,  小久保 光典,  田代 貴晴,  大川 貴史,  上村 隆一郎,  長田 大和,  藤川 紗千恵,  平山 秀樹,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-79,CPM2014-136,LQE2014-107
ナノインプリントリソグラフィを用いたナノチャネルFIELO法により作製されたGaNテンプレートの2次元歪みマッピング(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

南部 優賢,  山口 敦史,  後藤 裕輝,  砂川 晴夫,  松枝 敏晴,  岡田 愛姫子,  篠原 秀敏,  後藤 博史,  水野 潤,  碓井 彰,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-80,CPM2014-137,LQE2014-108
ウエットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

金沢 裕也,  豊田 史郎,  大島 一晟,  鎌田 憲彦,  鹿島 行雄,  松浦 恵里子,  嶋谷 聡,  小久保 光典,  田代 貴晴,  大川 貴史,  上村 上村,  長田 大和,  平山 英樹,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-81,CPM2014-138,LQE2014-109
InNの硬度とヤング率(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

大久保 泰,  出浦 桃子,  徳本 有紀,  沓掛 健太朗,  大野 裕,  米永 一郎,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-82,CPM2014-139,LQE2014-110
[(CaFeO_3)_m/(LaFeO_3)_n]超格子の電子/スピン状態に関する第一原理計算結果およびパルスレーザー堆積法で作製した超格子で得た実験結果との比較(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

及川 貴大,  渡部 雄太,  稲葉 隆哲,  大島 佳祐,  宋 華平,  永田 知子,  山本 寛,  岩田 展幸,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-83,CPM2014-140,LQE2014-111
MOCVDを用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザ(THz-QCL)の作製と7THz発振動作(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

豊田 史朗,  寺嶋 亘,  鎌田 憲彦,  平山 秀樹,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-84,CPM2014-141,LQE2014-112
2量子井戸構造を用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの発振動作の実現(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

寺嶋 亘,  平山 秀樹,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-85,CPM2014-142,LQE2014-113
Si基板上ハイブリッド集積光源の高温動作に向けた量子ドットレーザの適用(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

羽鳥 伸明,  清水 隆徳,  岡野 誠,  石坂 政茂,  山本 剛之,  賣野 豊,  森 雅彦,  中村 隆宏,  荒川 泰彦,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-86,CPM2014-143,LQE2014-114
多層サブ波長回折格子を用いた窒化物系直線偏光LED(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

高島 祐介,  清水 亮,  原口 雅宣,  直井 美貴,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-87,CPM2014-144,LQE2014-115
超格子p型AlGaNホール拡散層を用いた深紫外LEDの動作(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

前田 哲利,  定 昌史,  平山 秀樹,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-88,CPM2014-145,LQE2014-116
高Al組成p型AlGaNコンタクト層を用いた260nm深紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

定 昌史,  前田 哲利,  平山 秀樹,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-89,CPM2014-146,LQE2014-117
MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)

尾崎 史朗,  牧山 剛三,  多木 俊裕,  鎌田 陽一,  佐藤 優,  新井田 佳孝,  岡本 直哉,  増田 哲,  常信 和清,  

[発表日]2014/11/20
[資料番号]ED2014-90,CPM2014-147,LQE2014-118
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