エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2013/11/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2013/11/21
[資料番号]
目次

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[発表日]2013/11/21
[資料番号]
InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

萩野 裕幸,  左文字 克哉,  吉田 真治,  瀧川 信一,  森本 廉,  瀧澤 俊幸,  春日井 秀紀,  山中 一彦,  片山 琢磨,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-64,CPM2013-123,LQE2013-99
m面GaNの異方性ドライエッチングによるテクスチャーの形成とこれによるLED光取り出し効率の向上(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

藤田 稔之,  山田 篤志,  井上 彰,  加藤 亮,  横川 俊哉,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-65,CPM2013-124,LQE2013-100
350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

中嶋 翼,  竹田 健一郎,  岩谷 素顕,  上山 智,  竹内 哲也,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-66,CPM2013-125,LQE2013-101
内部集光レーザを用いた窒化物半導体デバイス用基板のそり制御 : シリコン基板への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

青田 奈津子,  会田 英雄,  武田 秀俊,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-67,CPM2013-126,LQE2013-102
表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

西田 将太,  梁 剣波,  森本 雅史,  重川 直輝,  新井 学,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-68,CPM2013-127,LQE2013-103
表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

梁 剣波,  西田 将太,  森本 雅史,  重川 直輝,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-69,CPM2013-128,LQE2013-104
InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

渡邉 則之,  満原 学,  横山 春喜,  梁 剣波,  重川 直輝,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-70,CPM2013-129,LQE2013-105
GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

塩島 謙次,  木原 雄平,  青木 俊周,  金田 直樹,  三島 友義,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-71,CPM2013-130,LQE2013-106
低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

塩島 謙次,  青木 俊周,  金田 直樹,  三島 友義,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-72,CPM2013-131,LQE2013-107
高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

前川 拓也,  本田 善央,  天野 浩,  西谷 智博,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-73,CPM2013-132,LQE2013-108
MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

若杉 侑矢,  本田 善央,  天野 浩,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-74,CPM2013-133,LQE2013-109
A novel method for crystallizations of aluminum nitride

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[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-75,CPM2013-134,LQE2013-110
トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体太陽電池の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

黒川 泰視,  合田 智美,  加賀 充,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-76,CPM2013-135,LQE2013-111
赤色発光Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造のOMVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

荒居 孝紀,  若松 龍太,  李 東建,  小泉 淳,  藤原 康文,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-77,CPM2013-136,LQE2013-112
有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

桑田 宗一郎,  小泉 淳,  藤原 康文,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-78,CPM2013-137,LQE2013-113
薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

片桐 正義,  泉 健太,  三宅 秀人,  平松 和政,  奥 秀彦,  浅村 英俊,  川村 啓介,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-79,CPM2013-138,LQE2013-114
サファイア上AlN緩衝層のN_2-COアニールとMOVPE法による高温成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

西尾 剛,  鈴木 周平,  三宅 秀人,  平松 和政,  福山 博之,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-80,CPM2013-139,LQE2013-115
減圧HVPE法を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

北川 慎,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2013/11/21
[資料番号]ED2013-81,CPM2013-140,LQE2013-116
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