エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2011/08/03)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2011/8/3
[資料番号]
目次

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[発表日]2011/8/3
[資料番号]
レーザーアブレーション法によるAIN成長のSi基板面方位依存性

鈴木 大樹,  熊谷 知貴,  中澤 日出樹,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-56
IN(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入/放出特性のDLTS評価

鈴木 聡一郎,  佐藤 真哉,  岩崎 拓郎,  俵 毅彦,  舘野 功太,  後藤 秀樹,  寒川 哲臣,  岡本 浩,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-57
SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価

酒井 崇史,  逸見 充則,  村田 裕亮,  鈴木 真一郎,  山上 朋彦,  林部 林平,  上村 喜一,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-58
SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性

大谷 孝,  姉埼 豊,  浅野 翔,  加藤 有行,  成田 克,  中澤 日出樹,  加藤 孝弘,  安井 寛治,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-59
TSFZ法による高温超伝導体Bi-2223単結晶の育成と評価

足立 伸太郎,  臼井 友洋,  橋本 雄三,  渡辺 孝夫,  藤井 武則,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-60
組成を変化させたZrB_x薄膜の特性評価

武山 真弓,  佐藤 勝,  野矢 厚,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-61
プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響

奥野 さおり,  三浦 創史,  鎌田 亮輔,  中澤 日出樹,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-62
レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加の影響

毛内 裕介,  遅澤 遼一,  中澤 日出樹,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-63
低温と室温におけるコンダクタンス法の組み合わせによるGe-MIS構造の界面準位密度評価

岩崎 拓郎,  佐藤 真哉,  鈴木 聡一郎,  小野 俊郎,  福田 幸夫,  岡本 浩,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-64
ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造のDLTSとC-t測定による評価

佐藤 真哉,  岩崎 拓郎,  鈴木 聡一郎,  小野 俊郎,  福田 幸夫,  岡本 浩,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-65
反応性スパッタ法によるCuAlO_2薄膜の作製とアニール効果

阿部 克也,  横本 拓也,  前田 洋輔,  宮澤 匠,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-66
RFマグネトロンスパッタ法によるAZO透明導電膜の作製

梅原 猛,  野毛 悟,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-67
シリコン酸化膜の不均一な熱分解

遠田 義晴,  小川 可乃,  永井 孝幸,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-68
赤外吸収分光法を用いたHfO_2原子層堆積法の反応素過程評価

廣瀬 文彦,  木下 友太,  鈴木 貴彦,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-69
OHラジカル酸化法の開発とデバイス評価

出貝 求,  黒沢 正章,  籾山 克章,  鈴木 貴彦,  廣瀬 文彦,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-70
下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法

野毛 悟,  梅原 猛,  宇野 武彦,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-71
ユビキタスプロセッサチップの開発

内海 晴信,  石原 拓美,  三村 直道,  高木 竜哉,  成田 一貴,  深瀬 政秋,  佐藤 友暁,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-72
バルクヘテロ型有機薄膜太陽電池のアニール効果の解析

栗原 啓,  吉田 一樹,  鈴木 貴彦,  廣瀬 文彦,  

[発表日]2011/8/3
[資料番号]CPM2011-73
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