エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2010/11/04)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2010/11/4
[資料番号]
目次

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[発表日]2010/11/4
[資料番号]
触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

三浦 仁嗣,  大谷 孝史,  黒田 朋義,  西山 洋,  安井 寛治,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-142,CPM2010-108,LQE2010-98
RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)

荒木 努,  川島 圭介,  山口 智広,  名西 〓之,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-143,CPM2010-109,LQE2010-99
疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)

本田 徹,  林 才人,  後藤 大雅,  井垣 辰浩,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-144,CPM2010-110,LQE2010-100
Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)

田辺 悟,  西尾 礼,  小林 由貴,  根本 幸祐,  宮本 智之,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-145,CPM2010-111,LQE2010-101
SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)

奥村 建太,  野村 拓也,  三宅 秀人,  平松 和政,  江龍 修,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-146,CPM2010-112,LQE2010-102
減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)

藤田 浩平,  三宅 秀人,  平松 和政,  乗松 潤,  平山 秀樹,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-147,CPM2010-113,LQE2010-103
非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈(窒化物及び混晶半導体デバイス)

山口 敦史,  小島 一信,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-148,CPM2010-114,LQE2010-104
空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)

橋谷 享,  金田 昭男,  船戸 充,  川上 養一,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-149,CPM2010-115,LQE2010-105
電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)

大音 隆男,  / 片岡 研,  船戸 充,  川上 養一,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-150,CPM2010-116,LQE2010-106
AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)

酒井 佑輔,  市川 淳規,  江川 孝志,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-151,CPM2010-117,LQE2010-107
多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

大井 幸多,  橋詰 保,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-152,CPM2010-118,LQE2010-108
ミリ波高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)

牧山 剛三,  多木 俊裕,  岡本 直哉,  金村 雅仁,  増田 哲,  中舎 安宏,  常信 和清,  今西 健治,  原 直紀,  尾崎 史朗,  中村 哲一,  吉川 俊英,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-153,CPM2010-119,LQE2010-109
GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

堀 祐臣,  原田 脩央,  水江 千帆子,  橋詰 保,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-154,CPM2010-120,LQE2010-110
硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

菊田 大悟,  成田 哲生,  高橋 直子,  片岡 恵太,  木本 康司,  上杉 勉,  加地 徹,  杉本 雅裕,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-155,CPM2010-121,LQE2010-111
GaN自立基板を用いた縦型ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)

八木 修一,  平田 祥子,  住田 行常,  別所 公博,  河合 弘治,  松枝 敏晴,  碓井 彰,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-156,CPM2010-122,LQE2010-112
低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)

岡田 政也,  斎藤 雄,  横山 満徳,  中田 健,  八重樫 誠司,  片山 浩二,  上野 昌紀,  木山 誠,  勝山 造,  中村 孝夫,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]ED2010-157,CPM2010-123,LQE2010-113
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[発表日]2010/11/4
[資料番号]
奥付

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[発表日]2010/11/4
[資料番号]
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