エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2009/10/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2009/10/22
[資料番号]
目次

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[発表日]2009/10/22
[資料番号]
硫化法によるCZTS薄膜太陽電池(薄膜プロセス・材料,一般)

関 拓郎,  五十嵐 重雄,  漢人 康善,  百瀬 成空,  橋本 佳男,  伊東 謙太郎,  

[発表日]2009/10/22
[資料番号]CPM2009-89
低純度シリコンを用いた太陽電池の試作と評価(薄膜プロセス・材料,一般)

佐野 裕紀,  都築 暁,  梅田 卓司,  成田 克,  鈴木 貴彦,  廣瀬 文彦,  

[発表日]2009/10/22
[資料番号]CPM2009-90
有機絶縁膜を用いたシリコンTFTの低温形成(薄膜プロセス・材料,一般)

橋本 将貴,  鈴木 貴彦,  成田 克,  廣瀬 文彦,  

[発表日]2009/10/22
[資料番号]CPM2009-91
塩化Niプラズマを用いた低温Niシリサイド形成(薄膜プロセス・材料,一般)

廣瀬 文彦,  鹿又 健作,  成田 克,  

[発表日]2009/10/22
[資料番号]CPM2009-92
絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブを用いた冷陰極の試作と評価(薄膜プロセス・材料,一般)

斉藤 裕史,  萩野 達也,  松本 純樹,  山上 朋彦,  林部 林平,  上村 喜一,  

[発表日]2009/10/22
[資料番号]CPM2009-93
単層カーボンナノチューブとポリイミド複合体の微細パターン形成技術と電界電子放出特性(薄膜プロセス・材料,一般)

石山 勝也,  伊東 栄次,  

[発表日]2009/10/22
[資料番号]CPM2009-94
ディッピング法によって溶液から析出するC_<60>結晶成長 : ハイパフォーマンス・ナノスケール電界効果型C_<60>トランジスタの簡易作製を目指して(薄膜プロセス・材料,一般)

岩田 展幸,  栗原 浩平,  飯尾 靖也,  山本 寛,  

[発表日]2009/10/22
[資料番号]CPM2009-95
Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)

黒田 朋義,  大谷 孝史,  加藤 有行,  高田 雅介,  赤羽 正志,  安井 寛治,  

[発表日]2009/10/22
[資料番号]CPM2009-96
タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカル アニールによるZnO:Al膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)

大島 穣,  田原 将巳,  ハニフ モハマド,  片桐 裕則,  新保 和夫,  黒木 雄一郎,  高田 雅介,  安井 寛治,  

[発表日]2009/10/22
[資料番号]CPM2009-97
高濃度BドープSi/SiGeB多層膜の熱電特性(薄膜プロセス・材料,一般)

的場 彰成,  佐々木 公洋,  

[発表日]2009/10/22
[資料番号]CPM2009-98
制限反応スパッタ法によるゲート絶縁膜用ZrO_2薄膜のアニール効果の検討(薄膜プロセス・材料,一般)

猪阪 直也,  周 英,  佐々木 公洋,  

[発表日]2009/10/22
[資料番号]CPM2009-99
スパッタ法によるSrAl_2O_4薄膜の高速堆積法の検討(薄膜プロセス・材料,一般)

纐纈 正和,  久野 敬史,  齋藤 稔,  清水 英彦,  岩野 春男,  川上 貴浩,  福嶋 康夫,  永田 向太郎,  

[発表日]2009/10/22
[資料番号]CPM2009-100
スパッタ法によるMg系合金薄膜の特性の検討(薄膜プロセス・材料,一般)

岡田 智弘,  清水 健児,  丹内 俊郎,  清水 英彦,  岩野 春男,  川上 貴浩,  福嶋 康夫,  永田 向太郎,  

[発表日]2009/10/22
[資料番号]CPM2009-101
複写される方へ

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[発表日]2009/10/22
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2009/10/22
[資料番号]
奥付

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[発表日]2009/10/22
[資料番号]