エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2006/11/02)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/11/2
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/11/2
[資料番号]
スパッタ法によるAZO薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

川上 歩,  野口 亨,  東出 陽幸,  宮崎 紳介,  清水 英彦,  丸山 武男,  岩野 春男,  川上 貴浩,  星 陽一,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-113
プラスチック基板上へのITO薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

竹内 正樹,  森下 和哉,  梅津 岳,  中田 悠介,  宮崎 紳介,  清水 英彦,  丸山 武男,  岩野 春男,  川上 貴浩,  星 陽一,  皆川 正寛,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-114
RFマグネトロンスパッタ法によるCr_2O_3薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

浅田 毅,  長瀬 研二朗,  山田 貴之,  岩田 展幸,  山本 寛,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-115
Ni/Mo層上におけるカーボンナノチューブの成長制御(薄膜プロセス・材料,一般)

奥山 博基,  岩田 展幸,  山本 寛,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-116
RF-MBE法により成長したAlInN薄膜のCL測定による評価(薄膜プロセス・材料,一般)

味村 裕,  寺嶋 亘,  崔 成伯,  石谷 善博,  吉川 明彦,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-117
反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用(薄膜プロセス・材料,一般)

塩野 晃宏,  中久木 政秀,  小林 勲生,  山上 朋彦,  林部 林平,  小畑 元樹,  阿部 克也,  上村 喜一,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-118
Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討(薄膜プロセス・材料,一般)

野矢 厚,  佐藤 勝,  武山 眞弓,  青柳 英二,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-119
Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiN_xバリヤの新規作製方法の検討(薄膜プロセス・材料,一般)

武山 真弓,  柳田 賢善,  野矢 厚,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-120
HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)

佐藤 勝,  武山 真弓,  野矢 厚,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-121
IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGe層の表面ラフネス制御(薄膜プロセス・材料,一般)

山本 純,  坂口 勇太,  成瀬 公博,  佐々木 公洋,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-122
劣化エピタキシャル成長した作製されたSiGe薄膜の熱電性能 : 基板の影響(薄膜プロセス・材料,一般)

的場 彰成,  早平 寿夫,  都築 崇博,  佐々木 公洋,  岡本 庸一,  守本 純,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-123
SiC埋め込み型Geナノドット構造を目指した高密度ナノドット形成(薄膜プロセス・材料,一般)

金丸 哲史,  荻原 智明,  安井 寛治,  赤羽 正志,  高田 雅介,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-124
MOVPE成長したInN膜の成長中劣化現象(薄膜プロセス・材料,一般)

杉田 憲一,  宝珍 禎則,  橋本 明弘,  山本 〓勇,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-125
制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜作製における成長遅れ時間(薄膜プロセス・材料,一般)

杉山 英孝,  小島 述央,  山岸 大朗,  周 英,  佐々木 公洋,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-126
酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置(薄膜プロセス・材料,一般)

千葉 忍,  佐々木 公洋,  元木 詮,  畑 朋延,  伊藤 昭彦,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-127
スパッタ法で作製されたNiCr薄膜の構造と抵抗温度係数(TCR)特性に及ぼす基板の表面あらさの影響(薄膜プロセス・材料,一般)

岩坪 聡,  清水 孝晃,  

[発表日]2006/11/2
[資料番号]CPM2006-128
複写される方へ

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[発表日]2006/11/2
[資料番号]
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[発表日]2006/11/2
[資料番号]
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