エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2005/11/05)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]
MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果(薄膜プロセス・材料, 一般)

永井 泰彦,  三輪 浩士,  橋本 明弘,  山本 皓勇,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]CPM2005-161
MOVPE法によるバルクGaN基板上へのInN薄膜成長と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)

王 文軍,  三輪 浩士,  永井 泰彦,  橋本 明弘,  山本 皓勇,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]CPM2005-162
ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN_<1-x>O_x薄膜によるH_2Sの光触媒分解効果(薄膜プロセス・材料, 一般)

宮西 正芳,  高橋 尚也,  小林 隆弘,  高山 勝己,  南保 幸男,  橋本 明弘,  山本 皓勇,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]CPM2005-163
3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長(薄膜プロセス・材料, 一般)

趙 明秀,  小林 隆弘,  澤崎 尚樹,  橋本 明弘,  山本 皓勇,  伊藤 慶文,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]CPM2005-164
3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 : 基板表面の窒化処理効果(薄膜プロセス・材料, 一般)

澤崎 尚樹,  小林 隆弘,  趙 明秀,  橋本 明弘,  山本 皓勇,  伊藤 慶文,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]CPM2005-165
ケミカルバス法によるZnS薄膜の作製 : ヒドラジン一水和物添加の効果(薄膜プロセス・材料, 一般)

蛭田 賢和,  小林 敏志,  坪井 望,  金子 双男,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]CPM2005-166
AFMとHRXRDよるSi/SiGeにおける構造変形の観測(薄膜プロセス・材料, 一般)

鄭 樹啓,  川島 将英,  森 雅之,  丹保 豊和,  龍山 智栄,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]CPM2005-167
パルススパッタ法を用いた薄膜作製プロセスの検討(薄膜プロセス・材料, 一般)

星 陽一,  國芳 祐二,  神谷 攻,  清水 英彦,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]CPM2005-168
低電圧スパッタ法によるYBCO薄膜の作製及び評価(薄膜プロセス・材料, 一般)

岡田 好正,  清水 英彦,  森 貴志,  岩野 春男,  川上 貴浩,  星 陽一,  丸山 武男,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]CPM2005-169
有機EL素子用ITO薄膜の作製と検討(薄膜プロセス・材料, 一般)

槻尾 浩一,  竹内 正樹,  森下 和哉,  清水 英彦,  丸山 武男,  川上 貴浩,  星 陽一,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]CPM2005-170
複写される方へ

,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]
Notice about photocopying

,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]
奥付

,  

[発表日]2005/11/5
[資料番号]