エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2005/11/04)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/11/4
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/11/4
[資料番号]
NiCr薄膜抵抗体における熱歪と抵抗温度係数(TCR)特性(薄膜プロセス・材料, 一般)

岩坪 聡,  清水 孝晃,  津幡 健,  桑原 大輔,  谷野 克巳,  

[発表日]2005/11/4
[資料番号]CPM2005-152
同時スパッタプリカーサを用いたCZTS薄膜太陽電池(薄膜プロセス・材料, 一般)

木村 亮一,  神保 和夫,  上村 剛,  山田 覚,  ウィン シュウ マウ,  片桐 裕則,  

[発表日]2005/11/4
[資料番号]CPM2005-153
溶融法によるCu_2ZnSnS_4結晶の作製(薄膜プロセス・材料, 一般)

島田 聡郎,  大石 耕一郎,  神保 和夫,  片桐 裕則,  荒木 秀明,  吉田 理,  山崎 誠,  小林 敏志,  坪井 望,  

[発表日]2005/11/4
[資料番号]CPM2005-154
Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 : Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて(薄膜プロセス・材料, 一般)

原島 正幸,  金丸 哲史,  加藤 有行,  荻原 智明,  安井 寛治,  赤羽 正志,  高田 雅介,  

[発表日]2005/11/4
[資料番号]CPM2005-155
プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)

山口 哲生,  劉 穎慎,  石田 芳樹,  山上 朋彦,  林部 林平,  阿部 克也,  上村 喜一,  

[発表日]2005/11/4
[資料番号]CPM2005-156
六方晶フェライトドットアレイの形成及びその磁気特性(薄膜プロセス・材料, 一般)

森迫 昭光,  劉 小晰,  

[発表日]2005/11/4
[資料番号]CPM2005-157
自己平坦化法によるBi-2212スタックの作製(薄膜プロセス・材料, 一般)

鈴木 光夫,  ラッタナット ファチャムルン,  余川 奈保美,  岡上 久美,  濱崎 勝義,  

[発表日]2005/11/4
[資料番号]CPM2005-158
塩酸で改質させた高温超伝導Bi-2212単結晶表面の物性評価(薄膜プロセス・材料, 一般)

余川 奈保美,  吉田 隆,  岡上 久美,  末松 久幸,  濱崎 勝義,  寺島 岳史,  阿部 浩也,  

[発表日]2005/11/4
[資料番号]CPM2005-159
スタック型Bi-2212ジョセフソンデバイスの温度特性(薄膜プロセス・材料, 一般)

ファチャムルン ラッタナット,  鈴木 光夫,  余川 奈保美,  岡上 久美,  濱崎 勝義,  

[発表日]2005/11/4
[資料番号]CPM2005-160
複写される方へ

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[発表日]2005/11/4
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2005/11/4
[資料番号]
奥付

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[発表日]2005/11/4
[資料番号]