エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2004/10/15)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/10/15
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/10/15
[資料番号]
中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

坂井 正宏,  江川 孝志,  ハオ マオシェン,  石川 博康,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-135,CPM2004-109,LQE2004-73
低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

出口 忠義,  脇 英司,  小野 悟,  中川 敦,  石川 博康,  江川 孝志,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-136,CPM2004-110,LQE2004-74
AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

星 真一,  丸井 俊治,  戸田 典彦,  海部 勝晶,  見田 充郎,  佐野 芳明,  関 昇平,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-137,CPM2004-111,LQE2004-75
高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

塩島 謙次,  牧村 隆司,  小杉 敏彦,  杉谷 末広,  重川 直輝,  石川 博康,  江川 孝志,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-138,CPM2004-112,LQE2004-76
4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

松井 慎一,  山本 幸太郎,  石川 博康,  江川 孝志,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-139,CPM2004-113,LQE2004-77
RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

大橋 達男,  光野 徹也,  石沢 峻介,  菊池 昭彦,  岸野 克巳,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-140,CPM2004-114,LQE2004-78
MOCVD法によるAl混晶上の高品質III-VN混晶(GaInNAs,GaInNP)成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

高橋 孝志,  佐藤 俊一,  軸谷 直人,  上西 盛聖,  原 敬,  佐藤 史朗,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-141,CPM2004-115,LQE2004-79
不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

中原 宏治,  近藤 正彦,  藤崎 寿美子,  谷口 隆文,  田中 滋久,  工藤 真,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-142,CPM2004-116,LQE2004-80
GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

宮本 智之,  松浦 哲也,  太田 征孝,  松井 康尚,  古旗 達也,  小山 二三夫,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-143,CPM2004-117,LQE2004-81
フォトニック結晶高Q共振器の設計と作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

赤羽 良啓,  浅野 卓,  宋 奉植,  野田 進,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-144,CPM2004-118,LQE2004-82
一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

細見 和彦,  深町 俊彦,  山田 宏治,  勝山 俊夫,  荒川 泰彦,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-145,CPM2004-119,LQE2004-83
低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

倉持 栄一,  / 新家 昭彦,  渡辺 俊文,  / 納富 雅也,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-146,CPM2004-120,LQE2004-84
集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

畑田 芳隆,  小谷 晃央,  船戸 充,  成川 幸男,  向井 孝志,  川上 養一,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-147,CPM2004-121,LQE2004-85
GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

松井 聰,  石井 洋平,  / 関口 寛人,  菊池 昭彦,  岸野 克巳,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-148,CPM2004-122,LQE2004-86
Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

春日井 秀紀,  三宅 泰人,  本塩 彰,  川島 毅士,  飯田 一喜,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  木下 博之,  塩見 弘,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-149,CPM2004-123,LQE2004-87
RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

菊池 昭彦,  川井 瑞恵,  多田 誠,  岸野 克巳,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-150,CPM2004-124,LQE2004-88
Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

青木 陽太,  本田 徹,  長谷川 文夫,  川西 英雄,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-151,CPM2004-125,LQE2004-89
サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

飯田 一喜,  春日井 秀紀,  三島 俊介,  三宅 泰人,  本塩 彰,  川島 毅士,  津田 道信,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2004/10/15
[資料番号]ED2004-152,CPM2004-126,LQE2004-90
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