エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2004/10/14)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]
サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

本塩 彰,  井村 将隆,  飯田 一喜,  三宅 泰人,  春日井 秀紀,  川島 毅士,  津田 道信,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-116,CPM2004-90,LQE2004-54
様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

三宅 泰人,  本塩 彰,  北野 司,  井村 将隆,  仲野 清孝,  春日井 秀紀,  川島 毅士,  飯田 一喜,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  木下 博之,  塩見 弘,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-117,CPM2004-91,LQE2004-55
Si(111)基板へのGaNの低温化による影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

淀 徳男,  福山 高章,  渕上 紘志,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-118,CPM2004-92,LQE2004-56
CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

江川 慎一,  本田 徹,  長谷川 文夫,  川西 英雄,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-119,CPM2004-93,LQE2004-57
凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

石賀 章,  大西 孝,  劉 玉懐,  原口 雅也,  桑野 範之,  柴田 智彦,  田中 光浩,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-120,CPM2004-94,LQE2004-58
ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 : AlNのHVPE成長は可能か?(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

熊谷 義直,  纐纈 明伯,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-121,CPM2004-95,LQE2004-59
p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

生方 映徳,  徳永 裕樹,  矢野 良樹,  阿久津 仲男,  松本 功,  山崎 利明,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-122,CPM2004-96,LQE2004-60
分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

中野 佑紀,  須田 淳,  木本 恒暢,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-123,CPM2004-97,LQE2004-61
高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

大西 孝,  石賀 章,  劉 玉懐,  柴田 智彦,  田中 光浩,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-124,CPM2004-98,LQE2004-62
容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

大坂 次郎,  西浦 政人,  沖野 徹,  大野 雄高,  岸本 茂,  前澤 宏一,  水谷 孝,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-125,CPM2004-99,LQE2004-63
高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

倉井 聡,  作田 寛明,  山中 良友,  田口 常正,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-126,CPM2004-100,LQE2004-64
MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

周 逸凱,  金 武成,  木村 重哉,  崔 誠佑,  江村 修一,  長谷川 繁彦,  朝日 一,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-127,CPM2004-101,LQE2004-65
ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

淀 徳男,  田本 清温,  嶋田 照也,  二口 博行,  藤井 洋平,  真岡 岳史,  原田 義之,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-128,CPM2004-102,LQE2004-66
その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

吉谷 昌慶,  赤坂 康一郎,  崔 成伯,  王 新強,  石谷 善博,  吉川 明彦,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-129,CPM2004-103,LQE2004-67
ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

淀 徳男,  山本 高裕,  高山 智行,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-130,CPM2004-104,LQE2004-68
RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

橋本 直樹,  菊川 直博,  崔 成伯,  石谷 善博,  吉川 明彦,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-131,CPM2004-105,LQE2004-69
高出力AlGaN/GaN HEMT用の非Al系オーミック電極(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

多木 俊裕,  金村 雅仁,  高橋 剛,  吉川 俊英,  常信 和清,  原 直紀,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-132,CPM2004-106,LQE2004-70
SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

川島 良男,  井上 彰,  空田 晴之,  神澤 好彦,  川島 孝啓,  原 義博,  浅井 明,  高木 剛,  

[発表日]2004/10/14
[資料番号]ED2004-133,CPM2004-107,LQE2004-71
12>> 1-20hit(23hit)