エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日：2003/05/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/5/9
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/5/9
[資料番号]
CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

夏目 諭,  藤田 尚樹,  李 海錫,  岡田 浩,  若原 昭浩,  吉田 明,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-33,CPM2003-32,SDM2003-33
蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

池田 広,  吉田 龍三,  高橋 崇宏,  江間 義則,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-34,CPM2003-33,SDM2003-34
液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

李 祐植,  大賀 涼,  吉田 義浩,  藤原 康文,  竹田 美和,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-35,CPM2003-34,SDM2003-35
MBE法によるパターン基板上へのGaAs/AlGaAs量子井戸構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

西本 宜央,  山口 雅史,  澤木 宣彦,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-36,CPM2003-35,SDM2003-36
GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

吉兼 豪勇,  小泉 淳,  藤原 康文,  浦上 晃,  井上 堅太郎,  竹田 美和,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-37,CPM2003-36,SDM2003-37
2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

河村 裕一,  天野 政信,  大内 一浩,  井上 直久,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-38,CPM2003-37,SDM2003-38
温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

李 輝宰,  今田 明範,  藤原 敦志,  江村 修一,  長谷川 繁彦,  朝日 一,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-39,CPM2003-38,SDM2003-39
低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

井上 大那,  槇 英信,  森 敬洋,  小川 和男,  小泉 淳,  吉兼 豪勇,  田渕 雅夫,  藤原 康文,  竹田 美和,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-40,CPM2003-39,SDM2003-40
InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

平田 智也,  茜 俊光,  神野 真吾,  久野 尚志,  藤原 康文,  中村 新男,  竹田 美和,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-41,CPM2003-40,SDM2003-41
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

以西 雅章,  深谷 健太郎,  笠井 崇史,  増田 健一郎,  岡村 正吾,  藤安 洋,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-42,CPM2003-41,SDM2003-42
逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

吉田 泰則,  秋本 晃一,  一宮 彪彦,  榎本 貴志,  菊地 敏,  板垣 和夫,  浪田 秀郎,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-43,CPM2003-42,SDM2003-43
エピタキシャルγ-Al_20_3/Si基板上への強誘電体薄膜形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

赤井 大輔,  余川 三香子,  平林 京介,  澤田 和明,  石田 誠,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-44,CPM2003-43,SDM2003-44
カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

小林 貴行,  井上 勉,  岡田 浩,  藤村 洋平,  若原 昭浩,  滝川 浩史,  吉田 明,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-45,CPM2003-44,SDM2003-45
マイクロチップ上へのSiプローブアレイ結晶成長と細胞電位測定応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

河野 剛士,  加藤 陶子,  石野 寛,  高尾 英邦,  澤田 和明,  石田 誠,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-46,CPM2003-45,SDM2003-46
極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

石川 靖彦,  今井 泰宏,  ヌルヤディ ラトノ,  池田 浩也,  田部 道晴,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-47,CPM2003-46,SDM2003-47
超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

北居 正弘,  池田 乙元,  佐々木 公洋,  畑 朋延,  森田 信一,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-48,CPM2003-47,SDM2003-48
選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

神田 敦彦,  松野 年伸,  田中 毅,  

[発表日]2003/5/9
[資料番号]ED2003-49,CPM2003-48,SDM2003-49
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[発表日]2003/5/9
[資料番号]
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