エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日：2003/05/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/5/8
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/5/8
[資料番号]
リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

重盛 聡,  中村 篤志,  青木 徹,  天明 二郎,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-16,CPM2003-15,SDM2003-16
リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

中村 篤志,  清水 克美,  青木 徹,  天明 二郎,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-17,CPM2003-16,SDM2003-17
AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

藤盛 敬雄,  今井 恒,  若原 昭浩,  岡田 浩,  吉田 明,  柴田 智彦,  田中 光浩,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-18,CPM2003-17,SDM2003-18
MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

下野 健二,  神保 正宏,  渡辺 康弘,  新田 州吾,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-19,CPM2003-18,SDM2003-19
高品質AlGaNのMOVPE成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

川島 毅士,  宮崎 敦嗣,  飯田 一喜,  井村 将隆,  佐野 智昭,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-20,CPM2003-19,SDM2003-20
量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

曽根 直樹,  長澤 仁也,  井上 翼,  石野 健英,  藤安 洋,  石田 明広,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-21,CPM2003-20,SDM2003-21
MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

井村 将隆,  佐野 智昭,  新田 州吾,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  岩橋 友也,  森下 昌紀,  川村 史朗,  吉村 政志,  森 勇介,  佐々木 孝友,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-22,CPM2003-21,SDM2003-22
Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

落合 大,  大野 雄高,  岸本 茂,  前澤 宏一,  水谷 孝,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-23,CPM2003-22,SDM2003-23
AlGaN/GaN 2DEG 構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

塩島 謙次,  重川 直輝,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-24,CPM2003-23,SDM2003-24
選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

牧本 俊樹,  熊倉 一英,  小林 直樹,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-25,CPM2003-24,SDM2003-25
低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫外レーザダイオード(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

飯田 一喜,  高浪 俊,  川島 毅士,  宮崎 敦嗣,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-26,CPM2003-25,SDM2003-26
高窒素組成GaAs_yP_<1-x-y>N_xおよびIn_zGa_<1-z>P_<1-x>N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

善積 祐介,  百瀬 賢治,  内海 淳志,  古川 雄三,  米津 宏雄,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-27,CPM2003-26,SDM2003-27
C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

小田 康裕,  横山 春喜,  杉山 弘樹,  佐藤 理夫,  小林 隆,  渡邉 則之,  内田 昌宏,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-28,CPM2003-27,SDM2003-28
Si基板上の(Ga,Mn)Asの成長とその磁気輸送特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

佐藤 慎哉,  神保 良夫,  内富 直隆,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-29,CPM2003-28,SDM2003-29
Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

以西 雅章,  清水 寛俊,  西田 英治,  本田 真士,  永塩 豊,  藤安 洋,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-30,CPM2003-29,SDM2003-30
MOVPE法によるGaAs基板上CdTe厚膜成長層の電気特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

中西 祐太郎,  内田 圭,  馬渕 崇,  草間 啓年,  安形 保則,  ニラウラ マダン,  安田 和人,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-31,CPM2003-30,SDM2003-31
低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

西山 友和,  金 恩美,  沼田 和俊,  朴 康司,  

[発表日]2003/5/8
[資料番号]ED2003-32,CPM2003-31,SDM2003-32
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[発表日]2003/5/8
[資料番号]
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