エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2002/10/04)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/10/4
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/10/4
[資料番号]
低温MBE成長TlGaAsにおけるエピタキシャル限界膜厚の組成依存性

小林 信裕,  西本 尚己,  梶川 靖友,  大谷 義和,  北野 保行,  

[発表日]2002/10/4
[資料番号]CPM2002-106
InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長

横山 春喜,  杉山 弘樹,  小田 康裕,  小林 隆,  

[発表日]2002/10/4
[資料番号]CPM2002-107
ホール障壁除去によるInP HEMTのg_d周波数分散の抑制

荒井 知之,  澤田 憲,  岡本 直哉,  牧山 剛三,  高橋 剛,  原 直紀,  

[発表日]2002/10/4
[資料番号]CPM2002-108
メタモルフィック InAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価

川田 健二,  大野 雄高,  岸本 茂,  前澤 宏一,  水谷 孝,  高草木 操,  中田 弘章,  

[発表日]2002/10/4
[資料番号]CPM2002-109
第一原理計算によるGaInAsNおよびGaAsSbNの物性比較

瀧澤 俊幸,  ハリス ジェームスS,  

[発表日]2002/10/4
[資料番号]CPM2002-110
KOH 水溶液を用いた電気化学的手法による 6H-SiC の微細加工の試み

加藤 正史,  市村 正也,  荒井 英輔,  

[発表日]2002/10/4
[資料番号]CPM2002-111
[OTHERS]

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[発表日]2002/10/4
[資料番号]