エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日：1998/08/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1998/8/6
[資料番号]
目次

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[発表日]1998/8/6
[資料番号]
急速熱窒化技術による極薄シリコン窒化膜成長とその電気的特性評価

佐藤 卓,  福田 永,  野村 滋,  吉野 正樹,  

[発表日]1998/8/6
[資料番号]CPM98-59
急速熱酸化技術による極薄NO酸窒化膜の形成

石川 喜浩,  福田 永,  野村 滋,  吉野 正樹,  

[発表日]1998/8/6
[資料番号]CPM98-60
急速熱酸化技術による極薄N_2O酸窒化膜の形成

綾 良輔,  Salam K.M.A.,  福田 永,  野村 滋,  吉野 正樹,  

[発表日]1998/8/6
[資料番号]CPM98-61
急速熱酸化膜の成長機構についての検討

佐藤 大介,  福田 永,  野村 滋,  

[発表日]1998/8/6
[資料番号]CPM98-62
Si(111)初期酸化のSTMによる観察

宮尾 正大,  堀口 伸弘,  米井 和則,  

[発表日]1998/8/6
[資料番号]CPM98-63
Cu/(Hf or HfN)/SiO_2/Si構造における界面反応の検討

武山 真弓,  野矢 厚,  坂西 光一郎,  

[発表日]1998/8/6
[資料番号]CPM98-64
Cu/SiO_2間におけるNb-Nバリヤ層の適用

坂上 正和,  武山 真弓,  野矢 厚,  

[発表日]1998/8/6
[資料番号]CPM98-65
酸化膜中のGeナノ結晶成長とその電気的特性評価

佐久間 盛敬,  福田 永,  野村 滋,  

[発表日]1998/8/6
[資料番号]CPM98-66
ポーラスシリコン膜の酸化と発光デバイスへの応用

山田 邦弘,  福田 永,  野村 滋,  西野 元一,  

[発表日]1998/8/6
[資料番号]CPM98-67
[OTHERS]

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[発表日]1998/8/6
[資料番号]