エレクトロニクス-集積回路(開催日:2018/08/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s高速デュアルポートTCAMの開発

藪内 誠(ルネサス エレクトロニクス),  森本 薫夫(ルネサス エレクトロニクス),  新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス),  田中 信二(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2018-08-09
[資料番号]SDM2018-48,ICD2018-35
10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究

五十嵐 満彦(ルネサス エレクトロニクス),  内田 優希(ルネサス エレクトロニクス),  高沢 義生(ルネサス エレクトロニクス),  塚本 康正(ルネサス エレクトロニクス),  澁谷 宏治(ルネサス エレクトロニクス),  新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2018-08-09
[資料番号]SDM2018-47,ICD2018-34
強誘電体HfO2 FTJの高TER化と多値化のためのデバイスおよびプロセス設計

小林 正治(東大),  多川 友作(東大),  バク ヒ(東大),  平本 俊郎(東大),  

[発表日]2018-08-09
[資料番号]SDM2018-50,ICD2018-37
[招待講演]心拍変動解析に向けたウェアラブル生体センサの開発

和泉 慎太郎(阪大),  

[発表日]2018-08-09
[資料番号]SDM2018-46,ICD2018-33
[招待講演]フレキシブルデバイスを用いたセンシングシステムの開発と社会実装

吉本 秀輔(PGV),  

[発表日]2018-08-09
[資料番号]SDM2018-44,ICD2018-31
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