エレクトロニクス-集積回路(開催日:2007/08/16)

タイトル/著者/発表日/資料番号
32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

小山 正人,  小池 正浩,  上牟田 雄一,  鈴木 正道,  辰村 光介,  土屋 義規,  市原 玲華,  後藤 正和,  長友 浩二,  東 篤志,  川中 繁,  中嶋 一明,  関根 克行,  

[発表日]2007/8/16
[資料番号]SDM2007-159,ICD2007-87
SOI膜厚5nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

清水 健,  平本 俊郎,  

[発表日]2007/8/16
[資料番号]SDM2007-160,ICD2007-88
n-MOSFETの非対称性および配置方位依存性の解析(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

松田 敏弘,  杉山 裕也,  岩田 栄之,  大曽根 隆志,  

[発表日]2007/8/16
[資料番号]SDM2007-161,ICD2007-89
日本が目指すナノエレクトロニクス大国(ナノエレクトロニクス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

渡辺 久恒,  

[発表日]2007/8/16
[資料番号]SDM2007-161,ICD2007-90
3次元型トランジスタFinFETによるLSIの高密度設計法 : CMOSセルライブラリを用いたパターン面積の縮小効果の検討(ナノエレクトロニクス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

岡本 恵介,  小泉 圭輔,  廣島 佑,  渡辺 重佳,  

[発表日]2007/8/16
[資料番号]SDM2007-163,ICD2007-91
3次元型トランジスタFinFETを用いたDTMOS(FinFET型DTMOS)によるシステムLSIの高密度設計法 : パターン面積の縮小効果の見積もり(ナノエレクトロニクス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

廣島 佑,  渡辺 重佳,  岡本 恵介,  小泉 圭輔,  

[発表日]2007/8/16
[資料番号]SDM2007-164,ICD2007-92
ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

小野田 裕之,  宮下 桂,  中山 武雄,  木下 朋子,  西村 尚志,  東 篤志,  山田 誠司,  松岡 史倫,  

[発表日]2007/8/16
[資料番号]SDM2007-165,ICD2007-93
積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

三浦 勝哉,  河原 尊之,  竹村 理一郎,  早川 純,  山ノ内 路彦,  池田 正二,  佐々木 龍太郎,  伊藤 顕知,  高橋 宏昌,  松岡 秀行,  大野 英男,  

[発表日]2007/8/16
[資料番号]SDM2007-166,ICD2007-94
DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

森田 泰弘,  藤原 英弘,  野口 紘希,  井口 友輔,  新居 浩二,  川口 博,  吉本 雅彦,  

[発表日]2007/8/16
[資料番号]SDM2007-167,ICD2007-95
同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

石倉 聡,  車田 総希,  寺野 登志夫,  山上 由展,  粉谷 直樹,  里見 勝治,  新居 浩二,  薮内 誠,  塚本 康正,  大林 茂樹,  大芦 敏行,  牧野 博之,  篠原 尋史,  赤松 寛範,  

[発表日]2007/8/16
[資料番号]SDM2007-168,ICD2007-96
90-nm CMOS技術による多段階読出し方式を用いた128-Kbit,16ポートSRAMの設計(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))

上口 光,  椋田 祐也,  和泉 伸也,  マタウシュ ハンス・ユルゲン,  小出 哲士,  

[発表日]2007/8/16
[資料番号]SDM2007-169,ICD2007-97
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[発表日]2007/8/16
[資料番号]
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[発表日]2007/8/16
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[発表日]2007/8/16
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