エレクトロニクス-集積回路(開催日:2006/04/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
二重接合トンネルを用いた35nm浮遊ゲート型MOSFETメモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)

大場 竜二,  三谷 祐一郎,  杉山 直治,  藤田 忍,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-19
マイコン搭載フラッシュメモリモジュールの内蔵電源システム(新メモリ技術とシステムLSI)

石川 次郎,  田中 利広,  加藤 章,  山木 貴志,  梅本 由紀子,  下里 健,  中村 功,  品川 裕,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-20
99mm^2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ(新メモリ技術とシステムLSI)

岩井 信,  竹内 健,  亀田 靖,  藤村 進,  大竹 博之,  細野 浩司,  志賀 仁,  渡辺 慶久,  二山 拓也,  進藤 佳彦,  小島 正嗣,  白川 政信,  市毛 正之,  畠山 多生,  田中 真一,  亀井 輝彦,  /,  / 東谷 政昭,  / 佐藤 信司,  大和 田健,  / 林田 直樹,  /,  /,  櫻井 清史,  常盤 直哉,  和気 裕子,  野沢 安満,  金澤 一久,  大島 成夫,  

[発表日]2006/4/6
[資料番号]ICD2006-21
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[発表日]2006/4/6
[資料番号]
奥付

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[発表日]2006/4/6
[資料番号]
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