エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2012/11/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

桑野 侑香,  加賀 充,  森田 隆敏,  山下 浩司,  南川 大智,  竹内 哲也,  岩谷 素顕,  上山 智,  赤崎 勇,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-83,CPM2012-140,LQE2012-11
AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

富田 優志,  平山 秀樹,  藤川 紗千恵,  水澤 克哉,  豊田 史朗,  鎌田 憲彦,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-84,CPM2012-141,LQE2012-112
減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

落合 俊介,  高木 麻有奈,  福世 文嗣,  三宅 秀人,  平松 和政,  小林 祐二,  吉田 治正,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-85,CPM2012-142,LQE2012-113
ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

波多腰 玄一,  布上 真也,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-86,CPM2012-143,LQE2012-114
InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

今井 大地,  石谷 善博,  王 新強,  草部 一秀,  吉川 明彦,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-87,CPM2012-144,LQE2012-115
近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

河口 研一,  中田 義昭,  江川 満,  山本 剛之,  荒川 泰彦,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-88,CPM2012-145,LQE2012-116
Inフラッシュ法を用いた1ミクロン帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と医療イメージングへの応用検討(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

日野 雄司,  尾崎 信彦,  大河内 俊介,  池田 直樹,  杉本 喜正,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-89,CPM2012-146,LQE2012-117
AlGaAs系フォトニック結晶構造作製に向けたICPドライエッチングマスクに関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

栂野 裕二,  北林 佑太,  石川 史太郎,  近藤 正彦,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-90,CPM2012-147,LQE2012-118
モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

谷 和樹,  斎藤 慎一,  小田 克矢,  奥村 忠嗣,  峰 利之,  井戸 立身,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-91,CPM2012-148,LQE2012-119
光スペクトル制御回路の設計と位相誤差補償による波長特性平坦化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

池田 達彦,  水野 隆之,  高橋 浩,  浅倉 秀明,  津田 裕之,  

[発表日]2012/11/22
[資料番号]ED2012-92,CPM2012-149,LQE2012-120
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[発表日]2012/11/22
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