エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2011/07/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

角田 梓,  岩杉 達矢,  中谷 公彦,  中山 幸二,  森 雅之,  前澤 宏一,  

[発表日]2011/7/22
[資料番号]ED2011-55
スピン分離量評価へ向けたInSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

藤田 昌成,  斉藤 光史,  須原 理彦,  

[発表日]2011/7/22
[資料番号]ED2011-56
高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

赤堀 誠志,  片山 智之,  森本 幸作,  岩瀬 比宇麻,  山田 省二,  

[発表日]2011/7/22
[資料番号]ED2011-57
InP基板上に成長したZnSnAs_2:Mn磁性薄膜の異常ホール効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

大前 洗斗,  神保 良夫,  内富 直隆,  

[発表日]2011/7/22
[資料番号]ED2011-58
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[発表日]2011/7/22
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[発表日]2011/7/22
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奥付

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[発表日]2011/7/22
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裏表紙

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[発表日]2011/7/22
[資料番号]
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