エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2007/06/18)

タイトル/著者/発表日/資料番号
超高速A/D変換器のためのHEMT比較器の設計(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

渡辺 裕,  中村 俊佑,  和保 孝夫,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-65,SDM2007-70
超高速SiGe HBTに向けたSi/SiGe連続エピタキシャル成長技術(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

小田 克矢,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-66,SDM2007-71
Surface passivations of AlGaN/GaN HEMTs using Remote-mode PECVD

,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-67,SDM2007-72
Microwave dielectric properties of Mg_4Ta_2O_9 ceramics with TiO_2 for DRO

,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-68,SDM2007-73
High-performance and reliable InP/InGaAs HBTs operating at high current density

,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-69,SDM2007-74
A Study on MgO-Ta_2O_5 System Ceramics for Microwave Component Application

,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-70,SDM2007-75
AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

上本 康裕,  引田 正洋,  上野 弘明,  村田 智洋,  松尾 尚慶,  石田 秀俊,  柳原 学,  上田 哲三,  田中 毅,  上田 大助,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-71,SDM2007-76
Low-Frequency Noise Characterizations of Back-gate ZnO Nanorod Field-Effect Transistor Structure

,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-72,SDM2007-77
Electrical Characterization of Indium-rich InGaN/GaN Multi Quantum Wells

,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-73,SDM2007-78
過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

加藤 正史,  福島 圭亮,  市村 正也,  兼近 将一,  石黒 修,  加地 徹,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-74,SDN2007-79
ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

加藤 正史,  三鴨 一輝,  市村 正也,  兼近 将一,  石黒 修,  加地 徹,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-75,SDM2007-80
Silicon Photonic Devices with Ge Quantum Dots as Light Sources

,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-76,SDM2007-81
Effect of a guard-ring on the leakage current in a Si-PIN X-ray detector for a single photon counting sensor

,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-77,SDM2007-82
Functional Devices Based on Quantum-sized Nanosilicon

,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-78,SDM2007-83
Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

奥山 一樹,  牧原 克典,  大田 晃生,  村上 秀樹,  池田 弥央,  東 清二郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-79,SDM2007-84
Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

田部 道晴,  ヌルヤディ ラトノ,  ブルハヌディン ザイナル,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-80,SDM2007-85
カーボンナノチューブFETの電気特性制御(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

水谷 孝,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-81,SDM2007-86
シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

西口 克彦,  小野 行徳,  藤原 聡,  猪川 洋,  高橋 庸夫,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-82,SDM2007-87
Design and Simulation of Single Hole Transistor with Tunneling Barrier formed by Fixed Charge

,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-83,SDM2007-88
メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

金丸 正剛,  長尾 昌善,  

[発表日]2007/6/18
[資料番号]ED2007-84,SDM2007-89
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