エレクトロニクス-電子デバイス(開催日：2005/10/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

重川 直輝,  西村 一巳,  横山 春喜,  宝川 幸司,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-136,CPM2005-123,LQE005-63
RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

及川 武,  佐藤 威友,  長谷川 英機,  橋詰 保,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-137,CPM2005-124,LQE005-64
薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

東脇 正高,  小野島 紀夫,  松井 敏明,  

[発表日]2005/10/6
[資料番号]ED2005-138,CPM2005-125,LQE005-65
複写される方へ

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[発表日]2005/10/6
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[発表日]2005/10/6
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奥付

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[発表日]2005/10/6
[資料番号]
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