エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2015/11/26)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性

林 朋宏(阪市大),  梁 剣波(阪市大),  新井 学(新日本無線),  重川 直輝(阪市大),  

[発表日]2015-11-27
[資料番号]ED2015-90,CPM2015-125,LQE2015-122
Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source

パンシラ ポープンブン(山形大),  鹿又 健作(山形大),  有馬 ボシルアハマド(山形大),  久保田 繁(山形大),  廣瀬 文彦(山形大),  

[発表日]2015-11-27
[資料番号]ED2015-81,CPM2015-116,LQE2015-113
伝導型の違いからみたGaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解明

古賀 祐介(首都大東京),  中村 成志(首都大東京),  奥村 次徳(首都大東京),  

[発表日]2015-11-27
[資料番号]
GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果

柴 麗(阪市大),  梁 剣波(阪市大),  重川 直輝(阪市大),  

[発表日]2015-11-27
[資料番号]ED2015-89,CPM2015-124,LQE2015-121
Interface analysis of Ti/Al-based ohmic contact on AlGaN/GaN structure grown on GaN substrate

ザデ ダリューシュ(NTT),  田邉 真一(NTT),  渡邉 則之(NTT),  松崎 秀明(NTT),  

[発表日]2015-11-27
[資料番号]
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