エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日：2007/10/04)

タイトル/著者/発表日/資料番号
青色発光InGaN微結晶の作製条件(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

蟹江 壽,  明石 健一,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-174,CPM2007-100,LQE2007-75
新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

橋本 直樹,  結城 明彦,  斉藤 英幸,  王 新強,  崔 成伯,  石谷 善博,  吉川 明彦,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-175,CPM2007-101,LQE2007-76
Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

中島 由樹,  本田 善央,  山口 雅史,  澤木 宣彦,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-176,CPM2007-102,LQE2007-77
窒化リチウムとガリウムとの反応によるGaN結晶の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

馬淵 彰,  平野 隆義,  杉浦 隆,  箕浦 秀樹,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-177,CPM2007-103,LQE2007-78
高In組成(1～0.5)InAlNの常圧MOVPE成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

宝珍 禎則,  橋本 明弘,  山本 〓勇,  

[発表日]2007/10/4
[資料番号]ED2007-178,CPM2007-104,LQE2007-79
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[発表日]2007/10/4
[資料番号]
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[発表日]2007/10/4
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[発表日]2007/10/4
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