エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日：2006/05/11)

タイトル/著者/発表日/資料番号
過剰キャリア減衰曲線に現れる遅い成分の温度依存性からのトラップパラメータの導出(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))

市村 正也,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-38,CPM2006-25,SDM2006-38
Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))

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[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-39,CPM2006-26,SDM2006-39
Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))

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[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-40,CPM2006-27,SDM2006-40
溶液前処理機構と光同期検出機構を集積化した血液分析用マイクロチップの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))

野田 俊彦,  広久保 望,  高尾 英邦,  奥 成博,  松本 浩一,  澤田 和明,  石田 誠,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-41,CPM2006-28,SDM2006-41
複写される方へ

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[発表日]2006/5/11
[資料番号]
Notice about Photocopying

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[発表日]2006/5/11
[資料番号]
奥付

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[発表日]2006/5/11
[資料番号]
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