| 大会名称 |
|---|
| 2009年 情報科学技術フォーラム(FIT) |
| 大会コ－ド |
| F |
| 開催年 |
| 2009 |
| 発行日 |
| 2009/8/20 |
| セッション番号 |
| 7C |
| セッション名 |
| ディペンダブルシステム |
| 講演日 |
| 2009/09/04 |
| 講演場所(会議室等) |
| C会場（9号館1F 913教室） |
| 講演番号 |
| RC-015 |
| タイトル |
| 多レベルセルフラッシュメモリに対する多元LDPCの構成と評価 |
| 著者名 |
| 前田 遊, 金子 晴彦, |
| キーワード |
| フラッシュメモリ, LDPC符号, 非対称誤り |
| 抄録 |
|
フラッシュメモリは、各メモリセルの浮遊ゲートに蓄える電荷の量によってデータ値を保持する。近年利用されている多レベルセルは単一セルにbビットのデータを保持することが可能であり、高い記憶密度を有する。しかし、多レベルセルは、浮遊ゲートに蓄えられた電荷量等の微小な変化によりデータ値を誤認識してしまうため、単一レベルセルと比較して誤り発生確率が高い。 本稿では、多レベルセルフラッシュメモリにおいて、メモリセルの閾値電圧が正規分布に従うと仮定して、多レベルセルにおける誤りを多元LDPC符号を用いて訂正する手法を提案する。また、シミュレーションにより復号後のBERの評価を行う。 |
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