大会名称 |
---|
2016年 ソサイエティ大会 |
大会コ-ド |
2016S |
開催年 |
2016 |
発行日 |
2016-09-06 |
セッション番号 |
C-13 |
セッション名 |
有機エレクトロニクス |
講演日 |
2016/9/21 |
講演場所(会議室等) |
工学部 P棟 P354 |
講演番号 |
C-13-1 |
タイトル |
熱刺激電流測定・光EFISHG同時測定系の構築とAuα-NPD/polyimide/IZO積層界面のトラップ解放過程の評価 |
著者名 |
○田口 大, 間中孝彰, 岩本光正, 細川英機, |
キーワード |
EFISHG |
抄録 |
有機トランジスタなどの有機エレクトロニクスデバイスの研究が活発化している。これらのデバイスでは、材料中や有機―有機界面に発生するトラップ準位がデバイス機能の不安定化の一因である。熱刺激電流法(TSC)によるトラップ評価は有機無機材料を問わずに様々な材料評価に適しており、強力なツールとして知られる。一方で、TSCの解析手法は、シリコンデバイス物理を基本としており、有機デバイスにそのまま適用するには課題もある。すなわち、トラップ準位から解放されたキャリアが、SiO2/Si界面トラップと同じように空乏層電界による輸送と同じに扱うことができるかとうかは不明確である。そこで我々は、脱トラップ過程のキャリア輸送の電界を直接測定できる、TSC-EFISHG同時測定装置を実現した。 |
本文pdf |
PDF download
|