| 大会名称 |
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016-09-06
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| セッション番号 |
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C-10
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| セッション名 |
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電子デバイス/シリコン材料・デバイス
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| 講演日 |
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2016/9/21
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| 講演場所(会議室等) |
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工学部 情報科学研究科棟 A12
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| 講演番号 |
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C-10-13
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| タイトル |
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GaN ショットキーバリアダイオードパッド部のSパラメータ評価
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| 著者名 |
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◎岡田直人, 伊藤弘子, 大野泰夫, 敖 金平,
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| キーワード |
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マイクロ波, GaN, ショットキーバリアダイオード, Sパラメータ, スミスチャート
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| 抄録 |
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マイクロ波無線電力伝送のレクテナ回路においてSi基板上の窒化ガリウムショットキーバリアダイオード(GaN SBD)が期待されている。マイクロ波無線電力伝送のレクテナ回路においてオープンパッドのSパラメータ測定を行った結果、容量の他に2つの抵抗成分が観測された。その原因を調べるためにn+層があるGaNオンSi基板とGaNオンサファイア基板、n+層がないサファイア基板での測定を行った結果、直列抵抗は誤差が大きいもののGaN層の有無で差があり、GaN層が存在しているため発生していると考えられる。GaN SBDでパッド部のn+層をなくすことで損失を低減されることが期待される。
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