| 大会名称 |
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016-09-06
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| セッション番号 |
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C-10
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| セッション名 |
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電子デバイス/シリコン材料・デバイス
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| 講演日 |
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2016/9/21
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| 講演場所(会議室等) |
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工学部 情報科学研究科棟 A12
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| 講演番号 |
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C-10-10
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| タイトル |
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超低電力CMOS: SOTB (Silicon on Thin Buried Oxide) の開発
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| 著者名 |
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○杉井信之, 土屋龍太, 蒲原史朗,
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| キーワード |
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超低電力, CMOS, FDSOI, 基板バイアス, ばらつき
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| 抄録 |
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超低消費電力を実現するCMOSとして、埋め込み絶縁膜(BOX)の薄い完全空乏型SOI構造トランジスタである SOTB(Silicon on Thin Buried Oxide)を開発した。本構造の主たる特長は、(1)しきい値電圧Vthのばらつきが小さく超低電圧動作が可能、(2)基板バイアス制御が可能で動作速度とリーク電力の最適化が可能、(3)ソフトエラー耐性が高い、(4)従来CMOSからの設計移行が容易なことである。我々は300mmCMOS製品ラインで実用性の高いプロセスを立ち上げ、超低電力マイコンなど各種LSIチップの試作を通じて上記特長を実証した。SOTBはIoT向けなどの超低電力CMOS技術として幅広く用いられることが期待される。
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