| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| C-10 |
| セッション名 |
| 電子デバイス/シリコン材料・デバイス |
| 講演日 |
| 2016/9/21 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 情報科学研究科棟 A12 |
| 講演番号 |
| C-10-9 |
| タイトル |
| CMOSテラヘルツ検出器の設計と評価 |
| 著者名 |
| ◎脇田幸典, 池辺将之, Arnold Stevanus, 尾辻泰一, 瀧田佑馬, 南出泰亜, 佐野栄一, |
| キーワード |
| テラヘルツ, CMOS, 検出器, イメージング |
| 抄録 |
| 近年、テラヘルツ波を用いたイメージングが注目を集めている。本研究では、MOSFETの非線形性を用いたテラヘルツ波の直接検波回路を提案する。テラヘルツ検出器は低コストである180 nm SiCMOSプロセスを用いて設計及び試作した。検出器はマイクロストリップパッチアンテナ、インピーダンス整合回路そして直接検波回路により構成される。検出器はキャリア周波数0.915 THzにおいて51.9 kV/WのResponsivity、変調周波数31 Hzにおいて358 pW/Hz1/2のNEP(Noise Equivalent Power)を示した。NEPは10 kHzで変調することで33.5 pW/Hz1/2が期待される。検出器のサイズは250x180 umである。これらの成果は低価格テラヘルツイメージングの実現を示唆している。 |
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