| 大会名称 |
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016-09-06
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| セッション番号 |
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C-10
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| セッション名 |
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電子デバイス/シリコン材料・デバイス
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| 講演日 |
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2016/9/21
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| 講演場所(会議室等) |
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工学部 情報科学研究科棟 A12
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| 講演番号 |
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C-10-5
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| タイトル |
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Cu2ZnSnSe4膜の成長におよぼす水素分圧の影響
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| 著者名 |
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◎廣瀬将人, 田橋正浩, 高橋 誠, 吉野賢二, 後藤英雄,
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| キーワード |
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Cu2ZnSnSe4太陽電池, 水素分圧, スピンコート法
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| 抄録 |
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従来のCu2ZnSnSe4膜の作製には真空蒸着法やスパッタ法など真空プロセスが用いられているため、高コストかつ大面積化が困難である。低コストかつ大面積に作製可能なスピンコート法によりプリカーサを作製し、ジメチルセレンでセレン化することでCZTSe膜の作製を試みた。しかし、結晶粒間に隙間が存在することから発電効率の低下が示唆された。隙間が生じる原因として原料に含まれる炭素が膜中に残留し、CZTSeの成長を阻害しているのではないかと考えた。そこで我々はキャリアガスに水素を用いることで膜質の改善を試みた。本報ではCZTSe膜の結晶相や組成、さらには表面形態におよぼす水素分圧の影響を調べたので報告する。
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