| 大会名称 |
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016-09-06
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| セッション番号 |
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C-10
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| セッション名 |
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電子デバイス/シリコン材料・デバイス
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| 講演日 |
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2016/9/21
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| 講演場所(会議室等) |
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工学部 情報科学研究科棟 A12
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| 講演番号 |
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C-10-4
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| タイトル |
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反応性スパッタリング法によるマイクロヒータ用TiN薄膜の作製
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| 著者名 |
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◎高岡利昌, 新國広幸, 伊藤 浩,
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| キーワード |
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TiN薄膜, 反応性スパッタリング, マイクロヒータ, アニール処理
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| 抄録 |
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本研究では，マイクロヒータ応用を目的に，反応性スパッタリング法にてTiN薄膜を作製し，成膜条件と膜物性を評価しマイクロヒータ応用について検討した．膜物性の評価には，XPS，SPM，可視紫外分光光度計を用いた。この結果，N2流量比が10％以上でTiN薄膜の組成は1:1となり，高速成膜が可能であることが分かった．また，透過率のアニール温度依存性から 600℃以上で透過率ピークが高エネルギー側へシフトすることを確認した．さらに，抵抗率のアニール温度依存性においては，600℃付近での抵抗率の急峻な変化が見られた．この時，膜表面がアニール温度600℃以下では薄黒い色に対し，800℃以上ではゴールド色に変化することを確認した．
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