| 大会名称 |
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016-09-06
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| セッション番号 |
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C-8
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| セッション名 |
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超伝導エレクトロニクス
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| 講演日 |
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2016/9/20
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| 講演場所(会議室等) |
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工学部 情報科学研究科棟 A22
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| 講演番号 |
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C-8-8
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| タイトル |
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アンシャント接合を用いた高エネルギー効率高速単一磁束量子回路
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| 著者名 |
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○畑中湧貴, 佐藤 諒, 田中雅光, 赤池宏之, 藤巻 朗,
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| キーワード |
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ERSFQ回路, シャント抵抗, アンシャント接合, 10 kA/cm2プロセス
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| 抄録 |
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単一磁束量子回路の消費電力をさらに低減する回路の一つとして、高エネルギー効率単一磁束量子回路（ERSFQ）回路がある。先行研究により低電圧駆動単一磁束量子回路（LV-RSFQ回路）において、ジョセフソン接合からシャント抵抗を取り除いたアンシャント接合を用いた回路でも動作することが実証されており、より低電圧で駆動するERSFQ回路においても、アンシャント接合の導入が可能であると見込まれる。RSFQ回路の超高集積化に向けたアプローチの一つに接合の積層構造化があり、アンシャント接合の将来の展望としてその実装に向けた応用が期待されている。本稿では、アンシャント接合を用いたERSFQ回路を数値解析した結果を報告する。
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