| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| C-6 |
| セッション名 |
| 電子部品・材料 |
| 講演日 |
| 2016/9/23 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 C棟 C206 |
| 講演番号 |
| C-6-1 |
| タイトル |
| 非単結晶基板上に形成したGaN系半導体薄膜の表面モフォロジー |
| 著者名 |
| ○藤原亜斗武, 中根 駿, 石崎翔太, 村上佳詞, 佐藤祐一, |
| キーワード |
| 薄膜 |
| 抄録 |
| 窒化ガリウム（GaN），あるいはGaNと窒化インジウム（InN）との混晶であるInxGa1-xNなどのⅢ族窒化物半導体薄膜を，ガラスなどの非単結晶材料による基板の上に形成した場合の表面モフォロジーを観察した結果について報告する。各薄膜は分子線エピタキシー装置により行った。サファイア単結晶基板を用いた場合には直接成長であってもアンドープGaN薄膜は２次元的な成長に近いが，ガラス基板の場合には直接成長の場合には粒界が露わな多結晶状態である。インジウムを同時供給した場合やプラズマセルの動作条件を変えた場合などについても併せて報告する予定である。 |
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