| 大会名称 |
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
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2016
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| 発行日 |
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2016-09-06
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| セッション番号 |
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C-4
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| セッション名 |
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レーザ・量子エレクトロニクス
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| 講演日 |
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2016/9/23
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| 講演場所(会議室等) |
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工学部 C棟 C214
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| 講演番号 |
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C-4-26
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| タイトル |
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L帯 SOA 集積 EADFBレーザ（AXEL）の変調時高出力（9.0 dBm）動作
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| 著者名 |
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◎進藤隆彦, 小林 亘, 藤原直樹, 大礒義孝, 長谷部浩一, 石井啓之, 井藤幹隆,
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| キーワード |
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半導体レーザ, 電界吸収型光変調器, 半導体光増幅器
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| 抄録 |
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次世代アクセス系光源には伝送距離の延伸と同時に分岐比の増加を補償するための高出力動作が要求される。今回、特に波長分散の影響が大きいL帯のSOA集積EADFBレーザ（AXEL）を試作し、その優位性の実証を試みた。試作したL帯AXELはEADFBレーザにレーザ部と同一活性層を有する長さ150 μmのSOAが集積され、LDとSOAは同一端子に結線しDC駆動させた。その結果、従来のEADFBレーザと比較し大幅な電力変換効率の向上と光出力の高出力化が確認された。また、10 Gb/sの伝送実験から変調時光出力9.0 dBm以上の高出力動作と同時に、40 kmおよび80 kmのエラーフリー伝送が得られ十分な伝送距離マージンを示した。
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