| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| C-4 |
| セッション名 |
| レーザ・量子エレクトロニクス |
| 講演日 |
| 2016/9/22 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 C棟 C213 |
| 講演番号 |
| C-4-18 |
| タイトル |
| III-V/Siハイブリッドデバイスの高効率動作に向けたハイブリッド領域/シリコン領域テーパ接続構造の検討 |
| 著者名 |
| ◎井上慧史, 林 侑介, 鈴木純一, 伊東憲人, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久, |
| キーワード |
| ハイブリッドレーザ |
| 抄録 |
| Siプラットホーム上に大規模光集積回路を形成する技術としてIII-V/Siハイブリッド集積が注目を集めており[1]、本研究室では窒素プラズマを用いたIII-V/Si直接貼付け法を提案してきた。先行研究においてリング共振器装荷型GaInAsP/Siハイブリッドレーザを作製した結果、その入出力特性に、モード変換用テーパ部における電流未注入による可飽和吸収に起因する急峻なキンクが現れることがわかった。今回、テーパ構造の再設計により、結合効率を維持しつつ、可飽和吸収を抑制する構造を検討したのでご報告する。 |
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