| 大会名称 |
|---|
| 2016年 ソサイエティ大会 |
| 大会コ－ド |
| 2016S |
| 開催年 |
| 2016 |
| 発行日 |
| 2016-09-06 |
| セッション番号 |
| C-4 |
| セッション名 |
| レーザ・量子エレクトロニクス |
| 講演日 |
| 2016/9/22 |
| 講演場所(会議室等) |
| 工学部 C棟 C213 |
| 講演番号 |
| C-4-17 |
| タイトル |
| 窒素プラズマ活性化接合法で作製したGaInAsP/SOIハイブリッドレーザの室温連続発振動作 |
| 著者名 |
| ◎林 侑介, 鈴木純一, 井上慧史, 伊東憲人, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久, |
| キーワード |
| ハイブリッドレーザ, シリコンフォトニクス |
| 抄録 |
| 光インターコネクトの波及にともない、電子回路と光回路を有機的に融合させるためのプラットフォームとして、Siフォトニクスが注目を集めている。しかしながら、Siは間接遷移型半導体であるためモノリシックに光源を集積させるうえでの障壁となっていた。現実的な解法となりうるのはIII-V族化合物半導体といった光利得媒質をSiベースの光回路上に集積する手法である。当グループでは窒素プラズマ活性化貼付けを用いることで低温度での異種基板貼り合わせ技術を実現しており、III-V/Siハイブリッド集積への導入を提案してきた。本貼付け方法によるレーザでは初となる室温連続発振動作に成功したので今回ご報告する。 |
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